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产品规格

封装/外壳	TO-46-3
制造商	Microsemi Corporation
安装类型	通孔
工作温度	-65°C ~ 200°C（TJ）
系列	-
包装	散装
零件状态	在售
供应商器件封装	TO-46-3
晶体管类型	PNP
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	50 @ 1mA，500mV
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	35V
Power - Max	400mW
电流 - 集电极截止（最大值）	10μA（ICBO）
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	-
频率 - 跃迁	-
关键词

产品资料

数据列表	2N2944A-46A
标准包装	1

封装/外壳 TO-46-3  Microsemi Corporation 封装/外壳 TO-46-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-46-3  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-46-3   制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 制造商 Microsemi Corporation  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Microsemi Corporation   安装类型 通孔  Microsemi Corporation 安装类型 通孔  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔   工作温度 -65°C ~ 200°C（TJ）  Microsemi Corporation 工作温度 -65°C ~ 200°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -65°C ~ 200°C（TJ）  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -65°C ~ 200°C（TJ）   系列 -  Microsemi Corporation 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 散装   Microsemi Corporation 包装 散装   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 散装   Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 散装    零件状态 在售  Microsemi Corporation 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-46-3  Microsemi Corporation 供应商器件封装 TO-46-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-46-3  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-46-3   晶体管类型 PNP  Microsemi Corporation 晶体管类型 PNP  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 1mA，500mV  Microsemi Corporation 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 1mA，500mV  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 1mA，500mV  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 50 @ 1mA，500mV   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 35V  Microsemi Corporation Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 35V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 35V  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 35V   Power - Max 400mW  Microsemi Corporation Power - Max 400mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 400mW  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 400mW   电流 - 集电极截止（最大值） 10μA（ICBO）  Microsemi Corporation 电流 - 集电极截止（最大值） 10μA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 10μA（ICBO）  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 10μA（ICBO）   Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  Microsemi Corporation Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 100mA   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） -  Microsemi Corporation 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） -  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） -   频率 - 跃迁 -  Microsemi Corporation 频率 - 跃迁 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 -  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 -