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产品规格

封装/外壳	3-SMD，无引线
制造商	Microsemi Corporation
安装类型	表面贴装
工作温度	-65°C ~ 200°C（TJ）
系列	-
包装	散装
零件状态	在售
供应商器件封装	UB
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	20 @ 1A，1.5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	40V
Power - Max	500mW
电流 - 集电极截止（最大值）	10μA（ICBO）
Current - Collector (Ic) (Max)	1.5A
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	900mV @ 100mA，1A
频率 - 跃迁	-
关键词

产品资料

数据列表	2N3735(L), 2N3737(UB)
标准包装	1

封装/外壳 3-SMD，无引线  Microsemi Corporation 封装/外壳 3-SMD，无引线  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 3-SMD，无引线  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 3-SMD，无引线   制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 制造商 Microsemi Corporation  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Microsemi Corporation   安装类型 表面贴装  Microsemi Corporation 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -65°C ~ 200°C（TJ）  Microsemi Corporation 工作温度 -65°C ~ 200°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -65°C ~ 200°C（TJ）  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -65°C ~ 200°C（TJ）   系列 -  Microsemi Corporation 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 散装   Microsemi Corporation 包装 散装   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 散装   Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 散装    零件状态 在售  Microsemi Corporation 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 UB  Microsemi Corporation 供应商器件封装 UB  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 UB  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 UB   晶体管类型 NPN  Microsemi Corporation 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 20 @ 1A，1.5V  Microsemi Corporation 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 20 @ 1A，1.5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 20 @ 1A，1.5V  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 20 @ 1A，1.5V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V  Microsemi Corporation Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V   Power - Max 500mW  Microsemi Corporation Power - Max 500mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 500mW  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 500mW   电流 - 集电极截止（最大值） 10μA（ICBO）  Microsemi Corporation 电流 - 集电极截止（最大值） 10μA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 10μA（ICBO）  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 10μA（ICBO）   Current - Collector (Ic) (Max) 1.5A  Microsemi Corporation Current - Collector (Ic) (Max) 1.5A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 1.5A  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 1.5A   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 900mV @ 100mA，1A  Microsemi Corporation 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 900mV @ 100mA，1A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 900mV @ 100mA，1A  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 900mV @ 100mA，1A   频率 - 跃迁 -  Microsemi Corporation 频率 - 跃迁 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 -  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 -