2N3822,Microsemi Corporation,分立半导体产品,晶体管 - JFET
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

2N3822 - 

N CHANNEL JFET

  • QPL or Military Specs are for reference only. Parts are not for military use. See Terms and Conditions.
  • Digi-Key已停止供应这个产品。
Microsemi Corporation 2N3822
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
2N3822
仓库库存编号:
2N3822-ND
描述:
N CHANNEL JFET
ROHS:
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
JFET N-Channel 50V 300mW Through Hole TO-72
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

2N3822产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-206AF,TO-72-4 金属罐  
  制造商  Microsemi Corporation  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 200°C(TJ)  
  系列  军用,MIL-PRF-19500/375  
  包装  散装   
  零件状态   已不再提供  
  供应商器件封装  TO-72  
  FET 类型  N 沟道  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  6pF @ 15V  
  漏源电压(Vdss)  50V  
  Power - Max  300mW  
  不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)  10mA @ 15V  
  不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关)  6V @ 500pA  
  电压 - 击穿(V(BR)GSS)  50V  
  电阻 - RDS(开)  -  
关键词         

产品资料
标准包装 1

2N3822相关搜索

封装/外壳 TO-206AF,TO-72-4 金属罐  Microsemi Corporation 封装/外壳 TO-206AF,TO-72-4 金属罐  晶体管 - JFET 封装/外壳 TO-206AF,TO-72-4 金属罐  Microsemi Corporation 晶体管 - JFET 封装/外壳 TO-206AF,TO-72-4 金属罐   制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 制造商 Microsemi Corporation  晶体管 - JFET 制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 晶体管 - JFET 制造商 Microsemi Corporation   安装类型 通孔  Microsemi Corporation 安装类型 通孔  晶体管 - JFET 安装类型 通孔  Microsemi Corporation 晶体管 - JFET 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 200°C(TJ)  Microsemi Corporation 工作温度 -55°C ~ 200°C(TJ)  晶体管 - JFET 工作温度 -55°C ~ 200°C(TJ)  Microsemi Corporation 晶体管 - JFET 工作温度 -55°C ~ 200°C(TJ)   系列 军用,MIL-PRF-19500/375  Microsemi Corporation 系列 军用,MIL-PRF-19500/375  晶体管 - JFET 系列 军用,MIL-PRF-19500/375  Microsemi Corporation 晶体管 - JFET 系列 军用,MIL-PRF-19500/375   包装 散装   Microsemi Corporation 包装 散装   晶体管 - JFET 包装 散装   Microsemi Corporation 晶体管 - JFET 包装 散装    零件状态  已不再提供  Microsemi Corporation 零件状态  已不再提供  晶体管 - JFET 零件状态  已不再提供  Microsemi Corporation 晶体管 - JFET 零件状态  已不再提供   供应商器件封装 TO-72  Microsemi Corporation 供应商器件封装 TO-72  晶体管 - JFET 供应商器件封装 TO-72  Microsemi Corporation 晶体管 - JFET 供应商器件封装 TO-72   FET 类型 N 沟道  Microsemi Corporation FET 类型 N 沟道  晶体管 - JFET FET 类型 N 沟道  Microsemi Corporation 晶体管 - JFET FET 类型 N 沟道   不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6pF @ 15V  Microsemi Corporation 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6pF @ 15V  晶体管 - JFET 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6pF @ 15V  Microsemi Corporation 晶体管 - JFET 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6pF @ 15V   漏源电压(Vdss) 50V  Microsemi Corporation 漏源电压(Vdss) 50V  晶体管 - JFET 漏源电压(Vdss) 50V  Microsemi Corporation 晶体管 - JFET 漏源电压(Vdss) 50V   Power - Max 300mW  Microsemi Corporation Power - Max 300mW  晶体管 - JFET Power - Max 300mW  Microsemi Corporation 晶体管 - JFET Power - Max 300mW   不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) 10mA @ 15V  Microsemi Corporation 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) 10mA @ 15V  晶体管 - JFET 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) 10mA @ 15V  Microsemi Corporation 晶体管 - JFET 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) 10mA @ 15V   不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关) 6V @ 500pA  Microsemi Corporation 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关) 6V @ 500pA  晶体管 - JFET 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关) 6V @ 500pA  Microsemi Corporation 晶体管 - JFET 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关) 6V @ 500pA   电压 - 击穿(V(BR)GSS) 50V  Microsemi Corporation 电压 - 击穿(V(BR)GSS) 50V  晶体管 - JFET 电压 - 击穿(V(BR)GSS) 50V  Microsemi Corporation 晶体管 - JFET 电压 - 击穿(V(BR)GSS) 50V   电阻 - RDS(开) -  Microsemi Corporation 电阻 - RDS(开) -  晶体管 - JFET 电阻 - RDS(开) -  Microsemi Corporation 晶体管 - JFET 电阻 - RDS(开) -  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号