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产品规格

封装/外壳	6-扁平封装
制造商	Microsemi Corporation
安装类型	表面贴装
工作温度	-65°C ~ 200°C（TJ）
系列	-
包装	散装
零件状态	在售
供应商器件封装	6 扁平封装
晶体管类型	NPN，PNP
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	100 @ 150mA，10V
电流 - 集电极截止（最大值）	10μA（ICBO）
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	400mV @ 15mA，150mA
频率 - 跃迁	-
功率 - 最大值	350mW
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	600mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	40V
关键词

产品资料

数据列表	2N3838
标准包装	1

封装/外壳 6-扁平封装  Microsemi Corporation 封装/外壳 6-扁平封装  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 6-扁平封装  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 6-扁平封装   制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 制造商 Microsemi Corporation  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Microsemi Corporation   安装类型 表面贴装  Microsemi Corporation 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -65°C ~ 200°C（TJ）  Microsemi Corporation 工作温度 -65°C ~ 200°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 -65°C ~ 200°C（TJ）  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 -65°C ~ 200°C（TJ）   系列 -  Microsemi Corporation 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -   包装 散装   Microsemi Corporation 包装 散装   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 散装   Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 散装    零件状态 在售  Microsemi Corporation 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 在售  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 6 扁平封装  Microsemi Corporation 供应商器件封装 6 扁平封装  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 6 扁平封装  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 6 扁平封装   晶体管类型 NPN，PNP  Microsemi Corporation 晶体管类型 NPN，PNP  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 NPN，PNP  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 NPN，PNP   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 150mA，10V  Microsemi Corporation 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 150mA，10V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 150mA，10V  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 150mA，10V   电流 - 集电极截止（最大值） 10μA（ICBO）  Microsemi Corporation 电流 - 集电极截止（最大值） 10μA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 10μA（ICBO）  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 10μA（ICBO）   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 400mV @ 15mA，150mA  Microsemi Corporation 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 400mV @ 15mA，150mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 400mV @ 15mA，150mA  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 400mV @ 15mA，150mA   频率 - 跃迁 -  Microsemi Corporation 频率 - 跃迁 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 -  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 -   功率 - 最大值 350mW  Microsemi Corporation 功率 - 最大值 350mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 350mW  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 350mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 600mA  Microsemi Corporation 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 600mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 600mA  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 600mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 40V  Microsemi Corporation 电压 - 集射极击穿（最大值） 40V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 40V  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 40V