2N4427,Microsemi Corporation,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 射频
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

2N4427 - 

TRANS RF NPN 1W 400MA TO39

  • 已过时的产品。
Microsemi Corporation 2N4427
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
2N4427
仓库库存编号:
2N4427-ND
描述:
TRANS RF NPN 1W 400MA TO39
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
RF Transistor NPN 40V 400mA 500MHz 1W Through Hole TO-39
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

2N4427产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-205AD,TO-39-3 金属罐  
  制造商  Microsemi Corporation  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -  
  系列  -  
  包装  散装   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  TO-39  
  晶体管类型  NPN  
  不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)  10 @ 100mA,5V  
  频率 - 跃迁  500MHz  
  功率 - 最大值  1W  
  电流 - 集电极(Ic)(最大值)  400mA  
  电压 - 集射极击穿(最大值)  40V  
  增益  10dB @ 175MHz  
  噪声系数(dB,不同 f 时的典型值)  -  
关键词         

产品资料
数据列表 2N4427
标准包装 1

2N4427相关搜索

封装/外壳 TO-205AD,TO-39-3 金属罐  Microsemi Corporation 封装/外壳 TO-205AD,TO-39-3 金属罐  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 TO-205AD,TO-39-3 金属罐  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 TO-205AD,TO-39-3 金属罐   制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 制造商 Microsemi Corporation  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 Microsemi Corporation   安装类型 通孔  Microsemi Corporation 安装类型 通孔  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 通孔  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 通孔   工作温度 -  Microsemi Corporation 工作温度 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 -  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 -   系列 -  Microsemi Corporation 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -   包装 散装   Microsemi Corporation 包装 散装   晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 散装   Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 散装    零件状态 过期  Microsemi Corporation 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 过期  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 过期   供应商器件封装 TO-39  Microsemi Corporation 供应商器件封装 TO-39  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 TO-39  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 TO-39   晶体管类型 NPN  Microsemi Corporation 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN   不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 10 @ 100mA,5V  Microsemi Corporation 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 10 @ 100mA,5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 10 @ 100mA,5V  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 10 @ 100mA,5V   频率 - 跃迁 500MHz  Microsemi Corporation 频率 - 跃迁 500MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 500MHz  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 500MHz   功率 - 最大值 1W  Microsemi Corporation 功率 - 最大值 1W  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 1W  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 1W   电流 - 集电极(Ic)(最大值) 400mA  Microsemi Corporation 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 400mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 400mA  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 400mA   电压 - 集射极击穿(最大值) 40V  Microsemi Corporation 电压 - 集射极击穿(最大值) 40V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿(最大值) 40V  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿(最大值) 40V   增益 10dB @ 175MHz  Microsemi Corporation 增益 10dB @ 175MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 10dB @ 175MHz  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 10dB @ 175MHz   噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) -  Microsemi Corporation 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) -  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) -  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号