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产品规格

封装/外壳	14-DIP（0.300"，7.62mm）
制造商	Microsemi Corporation
安装类型	通孔
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	散装
零件状态	在售
供应商器件封装	MO-036AB
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	60nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	700 毫欧 @ 600mA，10V
FET 类型	4 个 N 通道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	1A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	-
FET 功能	标准
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 250μA
漏源电压（Vdss）	100V
功率 - 最大值	1.4W
关键词

产品资料

数据列表	2N7334
标准包装	1

封装/外壳 14-DIP（0.300"，7.62mm）  Microsemi Corporation 封装/外壳 14-DIP（0.300"，7.62mm）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 14-DIP（0.300"，7.62mm）  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 14-DIP（0.300"，7.62mm）   制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 制造商 Microsemi Corporation  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Microsemi Corporation   安装类型 通孔  Microsemi Corporation 安装类型 通孔  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 通孔  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Microsemi Corporation 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Microsemi Corporation 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -   包装 散装   Microsemi Corporation 包装 散装   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 散装   Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 散装    零件状态 在售  Microsemi Corporation 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 MO-036AB  Microsemi Corporation 供应商器件封装 MO-036AB  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 MO-036AB  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 MO-036AB   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V  Microsemi Corporation 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 700 毫欧 @ 600mA，10V  Microsemi Corporation 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 700 毫欧 @ 600mA，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 700 毫欧 @ 600mA，10V  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 700 毫欧 @ 600mA，10V   FET 类型 4 个 N 通道  Microsemi Corporation FET 类型 4 个 N 通道  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 4 个 N 通道  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 4 个 N 通道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1A  Microsemi Corporation 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1A  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1A  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1A   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -  Microsemi Corporation 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -   FET 功能 标准  Microsemi Corporation FET 功能 标准  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA  Microsemi Corporation 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA   漏源电压（Vdss） 100V  Microsemi Corporation 漏源电压（Vdss） 100V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 100V  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 100V   功率 - 最大值 1.4W  Microsemi Corporation 功率 - 最大值 1.4W  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 1.4W  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 1.4W