APL602LG,Microsemi Corporation,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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APL602LG
APL602LG -
MOSFET N-CH 600V 49A TO-264
非库存货
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
制造商产品编号:
APL602LG
仓库库存编号:
APL602LG-ND
描述:
MOSFET N-CH 600V 49A TO-264
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 600V 49A(Tc) 730W(Tc) TO-264 [L]
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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APL602LG产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-264-3,TO-264AA
制造商
Microsemi Corporation
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-264 [L]
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
-
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
125 毫欧 @ 24.5A,12V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
12V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
49A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
9000pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 2.5mA
功率耗散(最大值)
730W(Tc)
漏源电压(Vdss)
600V
关键词
产品资料
数据列表
APL602(B2,L)
标准包装
25
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 58A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 58A(Tc) 730W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APL502LG
仓库库存编号:
APL502LG-ND
别名:APL502LGMI
APL502LGMI-ND
无铅
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Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-264-3,TO-264AA
制造商 Microsemi Corporation
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安装类型 通孔
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工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 600V
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