APT11GF120KRG,Microsemi Corporation,分立半导体产品,晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
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APT11GF120KRG
APT11GF120KRG -
IGBT 1200V 25A 156W TO220
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
制造商产品编号:
APT11GF120KRG
仓库库存编号:
APT11GF120KRG-ND
描述:
IGBT 1200V 25A 156W TO220
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT NPT 1200V 25A 156W Through Hole TO-220 [K]
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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APT11GF120KRG产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-220-3
制造商
Microsemi Corporation
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
过期
供应商器件封装
TO-220 [K]
输入类型
标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200V
Power - Max
156W
Current - Collector (Ic) (Max)
25A
测试条件
800V,8A,10 欧姆,15V
开关能量
300μJ(开),285μJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm)
44A
IGBT 类型
NPT
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
3V @ 15V,8A
25°C 时 Td(开/关)值
7ns/100ns
栅极电荷
65nC
关键词
产品资料
标准包装
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制造商 Microsemi Corporation
Microsemi Corporation 制造商 Microsemi Corporation
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Microsemi Corporation
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安装类型 通孔
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工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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包装 管件
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零件状态 过期
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供应商器件封装 TO-220 [K]
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栅极电荷 65nC
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