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APT15GP60BDLG
APT15GP60BDLG -
IGBT 600V 56A 250W TO247
不推荐用于新设计,因为可能有最低订货量限制。 请参阅“替代封装”或“替代品”选项。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
制造商产品编号:
APT15GP60BDLG
仓库库存编号:
APT15GP60BDLG-ND
描述:
IGBT 600V 56A 250W TO247
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT PT 600V 56A 250W Through Hole TO-247
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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APT15GP60BDLG产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-247-3
制造商
Microsemi Corporation
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
不可用于新设计
供应商器件封装
TO-247
输入类型
标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600V
Power - Max
250W
Current - Collector (Ic) (Max)
56A
测试条件
400V,15A,5 欧姆,15V
开关能量
130μJ(开),121μJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm)
65A
IGBT 类型
PT
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
2.7V @ 15V,15A
25°C 时 Td(开/关)值
8ns/29ns
栅极电荷
55nC
关键词
产品资料
数据列表
APT15GP60BDL(G)
标准包装
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封装/外壳 TO-247-3
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3
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制造商 Microsemi Corporation
Microsemi Corporation 制造商 Microsemi Corporation
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Microsemi Corporation
Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Microsemi Corporation
安装类型 通孔
Microsemi Corporation 安装类型 通孔
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 通孔
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工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Microsemi Corporation 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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系列 -
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 -
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包装 管件
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 管件
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零件状态 不可用于新设计
Microsemi Corporation 零件状态 不可用于新设计
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 不可用于新设计
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供应商器件封装 TO-247
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-247
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输入类型 标准
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
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Power - Max 250W
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 250W
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Current - Collector (Ic) (Max) 56A
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 56A
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测试条件 400V,15A,5 欧姆,15V
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 400V,15A,5 欧姆,15V
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开关能量 130μJ(开),121μJ(关)
Microsemi Corporation 开关能量 130μJ(开),121μJ(关)
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Current - Collector Pulsed (Icm) 65A
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IGBT 类型 PT
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不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.7V @ 15V,15A
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25°C 时 Td(开/关)值 8ns/29ns
Microsemi Corporation 25°C 时 Td(开/关)值 8ns/29ns
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栅极电荷 55nC
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