APT20GN60BG,Microsemi Corporation,分立半导体产品,晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
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APT20GN60BG
APT20GN60BG -
IGBT 600V 40A 136W TO247
当零件存货耗尽后,该零件将成为非库存货;此时将采用最低订购量方法。 订购数量应为可供数量或者可供数量加上最低订购数量的倍数。
非库存货
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
制造商产品编号:
APT20GN60BG
仓库库存编号:
APT20GN60BG-ND
描述:
IGBT 600V 40A 136W TO247
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247 [B]
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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APT20GN60BG产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-247-3
制造商
Microsemi Corporation
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-247 [B]
输入类型
标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600V
Power - Max
136W
Current - Collector (Ic) (Max)
40A
测试条件
400V,20A,4.3 欧姆,15V
开关能量
230μJ(开),580μJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm)
60A
IGBT 类型
沟槽型场截止
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
1.9V @ 15V,20A
25°C 时 Td(开/关)值
9ns/140ns
栅极电荷
120nC
关键词
产品资料
数据列表
APT20GN60(B,S)(G)
Power Products Catalog
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3
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制造商 Microsemi Corporation
Microsemi Corporation 制造商 Microsemi Corporation
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Microsemi Corporation
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安装类型 通孔
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工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
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系列 -
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包装 管件
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供应商器件封装 TO-247 [B]
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输入类型 标准
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测试条件 400V,20A,4.3 欧姆,15V
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IGBT 类型 沟槽型场截止
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栅极电荷 120nC
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