关于我们 | 联系我们

库存查询

产品规格

封装/外壳	TO-247-3
制造商	Microsemi Corporation
安装类型	通孔
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	管件
零件状态	在售
供应商器件封装	TO-247 [B]
输入类型	标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Power - Max	272W
Current - Collector (Ic) (Max)	67A
测试条件	800V，25A，1 欧姆，15V
开关能量	2.15μJ（关）
Current - Collector Pulsed (Icm)	75A
IGBT 类型	沟槽型场截止
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	2.1V @ 15V，25A
25°C 时 Td（开/关）值	22ns/280ns
栅极电荷	155nC
关键词

产品资料

数据列表	APT25GN120 Series Power Products Catalog
标准包装	30

封装/外壳 TO-247-3  Microsemi Corporation 封装/外壳 TO-247-3  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3   制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 制造商 Microsemi Corporation  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Microsemi Corporation   安装类型 通孔  Microsemi Corporation 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Microsemi Corporation 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Microsemi Corporation 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   包装 管件   Microsemi Corporation 包装 管件   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件   Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 在售  Microsemi Corporation 零件状态 在售  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-247 [B]  Microsemi Corporation 供应商器件封装 TO-247 [B]  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-247 [B]  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-247 [B]   输入类型 标准  Microsemi Corporation 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  Microsemi Corporation Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V   Power - Max 272W  Microsemi Corporation Power - Max 272W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 272W  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 272W   Current - Collector (Ic) (Max) 67A  Microsemi Corporation Current - Collector (Ic) (Max) 67A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 67A  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 67A   测试条件 800V，25A，1 欧姆，15V  Microsemi Corporation 测试条件 800V，25A，1 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 800V，25A，1 欧姆，15V  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 800V，25A，1 欧姆，15V   开关能量 2.15μJ（关）  Microsemi Corporation 开关能量 2.15μJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 2.15μJ（关）  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 2.15μJ（关）   Current - Collector Pulsed (Icm) 75A  Microsemi Corporation Current - Collector Pulsed (Icm) 75A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 75A  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 75A   IGBT 类型 沟槽型场截止  Microsemi Corporation IGBT 类型 沟槽型场截止  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟槽型场截止  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟槽型场截止   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.1V @ 15V，25A  Microsemi Corporation 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.1V @ 15V，25A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.1V @ 15V，25A  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.1V @ 15V，25A   25°C 时 Td（开/关）值 22ns/280ns  Microsemi Corporation 25°C 时 Td（开/关）值 22ns/280ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 22ns/280ns  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 22ns/280ns   栅极电荷 155nC  Microsemi Corporation 栅极电荷 155nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 155nC  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 155nC