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APT25GP120BDQ1G - 

IGBT 1200V 69A 417W TO247

Microsemi Corporation APT25GP120BDQ1G
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
APT25GP120BDQ1G
仓库库存编号：
APT25GP120BDQ1G-ND
描述：
IGBT 1200V 69A 417W TO247
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
IGBT PT 1200V 69A 417W Through Hole TO-247 [B]
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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APT25GP120BDQ1G产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-247-3  
  制造商  Microsemi Corporation  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  POWER MOS 7?  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  TO-247 [B]  
  输入类型  标准  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  1200V  
  Power - Max  417W  
  Current - Collector (Ic) (Max)  69A  
  测试条件  600V，25A，5 欧姆，15V  
  开关能量  500μJ（开），440μJ（关）  
  Current - Collector Pulsed (Icm)  90A  
  IGBT 类型  PT  
  不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）  3.9V @ 15V，25A  
  25°C 时 Td（开/关）值  12ns/70ns  
  栅极电荷  110nC  
关键词         

产品资料
数据列表 APT25GP120BDQ1(G)
Power Products Catalog
标准包装 30
其它名称 APT25GP120BDQ1GMI
APT25GP120BDQ1GMI-ND

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