APT25GR120SSCD10,Microsemi Corporation,分立半导体产品,晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
>
APT25GR120SSCD10
APT25GR120SSCD10 -
IGBT 1200V 75A 521W D3PAK
非库存货
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
制造商产品编号:
APT25GR120SSCD10
仓库库存编号:
APT25GR120SSCD10-ND
描述:
IGBT 1200V 75A 521W D3PAK
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT NPT 1200V 75A 521W Surface Mount D3Pak
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
APT25GR120SSCD10产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-268-3,D3Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA
制造商
Microsemi Corporation
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
D3Pak
输入类型
标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200V
Power - Max
521W
Current - Collector (Ic) (Max)
75A
测试条件
600V,25A,4.3 欧姆,15V
开关能量
434μJ(开),466μJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm)
100A
IGBT 类型
NPT
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
3.2V @ 15V,25A
25°C 时 Td(开/关)值
16ns/122ns
栅极电荷
203nC
关键词
产品资料
数据列表
APT25GR120(B,S)SCD10
标准包装
30
APT25GR120SSCD10您可能还对以下元器件感兴趣
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Microsemi Corporation
IGBT 1200V 67A 272W D3PAK
详细描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 67A 272W Surface Mount D3Pak
型号:
APT25GN120SG
仓库库存编号:
APT25GN120SG-ND
无铅
搜索
APT25GR120SSCD10相关搜索
封装/外壳 TO-268-3,D3Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA
Microsemi Corporation 封装/外壳 TO-268-3,D3Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-268-3,D3Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA
Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-268-3,D3Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA
制造商 Microsemi Corporation
Microsemi Corporation 制造商 Microsemi Corporation
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Microsemi Corporation
Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Microsemi Corporation
安装类型 表面贴装
Microsemi Corporation 安装类型 表面贴装
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Microsemi Corporation 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
系列 -
Microsemi Corporation 系列 -
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 -
Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 -
包装 管件
Microsemi Corporation 包装 管件
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 管件
Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 管件
零件状态 在售
Microsemi Corporation 零件状态 在售
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 在售
Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 在售
供应商器件封装 D3Pak
Microsemi Corporation 供应商器件封装 D3Pak
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 D3Pak
Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 D3Pak
输入类型 标准
Microsemi Corporation 输入类型 标准
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准
Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Microsemi Corporation Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Power - Max 521W
Microsemi Corporation Power - Max 521W
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 521W
Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 521W
Current - Collector (Ic) (Max) 75A
Microsemi Corporation Current - Collector (Ic) (Max) 75A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 75A
Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 75A
测试条件 600V,25A,4.3 欧姆,15V
Microsemi Corporation 测试条件 600V,25A,4.3 欧姆,15V
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 600V,25A,4.3 欧姆,15V
Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 600V,25A,4.3 欧姆,15V
开关能量 434μJ(开),466μJ(关)
Microsemi Corporation 开关能量 434μJ(开),466μJ(关)
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 434μJ(开),466μJ(关)
Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 434μJ(开),466μJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm) 100A
Microsemi Corporation Current - Collector Pulsed (Icm) 100A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 100A
Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 100A
IGBT 类型 NPT
Microsemi Corporation IGBT 类型 NPT
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 NPT
Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 NPT
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 3.2V @ 15V,25A
Microsemi Corporation 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 3.2V @ 15V,25A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 3.2V @ 15V,25A
Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 3.2V @ 15V,25A
25°C 时 Td(开/关)值 16ns/122ns
Microsemi Corporation 25°C 时 Td(开/关)值 16ns/122ns
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 16ns/122ns
Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 16ns/122ns
栅极电荷 203nC
Microsemi Corporation 栅极电荷 203nC
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 203nC
Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 203nC
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号