APT33GF120B2RDQ2G,Microsemi Corporation,分立半导体产品,晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
>
APT33GF120B2RDQ2G
APT33GF120B2RDQ2G -
IGBT 1200V 64A 357W TMAX
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
制造商产品编号:
APT33GF120B2RDQ2G
仓库库存编号:
APT33GF120B2RDQ2G-ND
描述:
IGBT 1200V 64A 357W TMAX
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT NPT 1200V 64A 357W Through Hole
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
APT33GF120B2RDQ2G产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-247-3 变式
制造商
Microsemi Corporation
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
输入类型
标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200V
Power - Max
357W
Current - Collector (Ic) (Max)
64A
测试条件
800V,25A,4.3 欧姆,15V
开关能量
1.315μJ(开),1.515μJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm)
75A
IGBT 类型
NPT
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
3V @ 15V,25A
25°C 时 Td(开/关)值
14ns/185ns
栅极电荷
170nC
关键词
产品资料
数据列表
APT33GF120(B2,L)RDQ2(G)
Power Products Catalog
标准包装
30
其它名称
APT33GF120B2RDQ2GMI
APT33GF120B2RDQ2GMI-ND
APT33GF120B2RDQ2G相关搜索
封装/外壳 TO-247-3 变式
Microsemi Corporation 封装/外壳 TO-247-3 变式
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3 变式
Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3 变式
制造商 Microsemi Corporation
Microsemi Corporation 制造商 Microsemi Corporation
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Microsemi Corporation
Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Microsemi Corporation
安装类型 通孔
Microsemi Corporation 安装类型 通孔
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 通孔
Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 通孔
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Microsemi Corporation 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
系列 -
Microsemi Corporation 系列 -
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 -
Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 -
包装 管件
Microsemi Corporation 包装 管件
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 管件
Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 管件
零件状态 在售
Microsemi Corporation 零件状态 在售
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 在售
Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 在售
输入类型 标准
Microsemi Corporation 输入类型 标准
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准
Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Microsemi Corporation Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Power - Max 357W
Microsemi Corporation Power - Max 357W
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 357W
Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 357W
Current - Collector (Ic) (Max) 64A
Microsemi Corporation Current - Collector (Ic) (Max) 64A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 64A
Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 64A
测试条件 800V,25A,4.3 欧姆,15V
Microsemi Corporation 测试条件 800V,25A,4.3 欧姆,15V
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 800V,25A,4.3 欧姆,15V
Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 800V,25A,4.3 欧姆,15V
开关能量 1.315μJ(开),1.515μJ(关)
Microsemi Corporation 开关能量 1.315μJ(开),1.515μJ(关)
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 1.315μJ(开),1.515μJ(关)
Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 1.315μJ(开),1.515μJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm) 75A
Microsemi Corporation Current - Collector Pulsed (Icm) 75A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 75A
Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 75A
IGBT 类型 NPT
Microsemi Corporation IGBT 类型 NPT
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 NPT
Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 NPT
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 3V @ 15V,25A
Microsemi Corporation 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 3V @ 15V,25A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 3V @ 15V,25A
Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 3V @ 15V,25A
25°C 时 Td(开/关)值 14ns/185ns
Microsemi Corporation 25°C 时 Td(开/关)值 14ns/185ns
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 14ns/185ns
Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 14ns/185ns
栅极电荷 170nC
Microsemi Corporation 栅极电荷 170nC
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 170nC
Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 170nC
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号