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产品规格

封装/外壳	TO-264-3，TO-264AA
制造商	Microsemi Corporation
安装类型	通孔
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	管件
零件状态	过期
供应商器件封装	TO-264 [L]
输入类型	标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Power - Max	357W
Current - Collector (Ic) (Max)	64A
测试条件	800V，25A，4.3 欧姆，15V
开关能量	1.315mJ（开），1.515mJ（关）
Current - Collector Pulsed (Icm)	75A
IGBT 类型	NPT
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	3V @ 15V，25A
25°C 时 Td（开/关）值	14ns/185ns
栅极电荷	170nC
关键词

产品资料

数据列表	APT33GF120(B2,L)RDQ2(G)
标准包装	25
其它名称	APT33GF120LRDQ2GMI APT33GF120LRDQ2GMI-ND

封装/外壳 TO-264-3，TO-264AA  Microsemi Corporation 封装/外壳 TO-264-3，TO-264AA  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-264-3，TO-264AA  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-264-3，TO-264AA   制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 制造商 Microsemi Corporation  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Microsemi Corporation   安装类型 通孔  Microsemi Corporation 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Microsemi Corporation 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Microsemi Corporation 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   包装 管件   Microsemi Corporation 包装 管件   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件   Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 过期  Microsemi Corporation 零件状态 过期  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 过期  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 TO-264 [L]  Microsemi Corporation 供应商器件封装 TO-264 [L]  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-264 [L]  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-264 [L]   输入类型 标准  Microsemi Corporation 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  Microsemi Corporation Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V   Power - Max 357W  Microsemi Corporation Power - Max 357W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 357W  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 357W   Current - Collector (Ic) (Max) 64A  Microsemi Corporation Current - Collector (Ic) (Max) 64A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 64A  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 64A   测试条件 800V，25A，4.3 欧姆，15V  Microsemi Corporation 测试条件 800V，25A，4.3 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 800V，25A，4.3 欧姆，15V  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 800V，25A，4.3 欧姆，15V   开关能量 1.315mJ（开），1.515mJ（关）  Microsemi Corporation 开关能量 1.315mJ（开），1.515mJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 1.315mJ（开），1.515mJ（关）  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 1.315mJ（开），1.515mJ（关）   Current - Collector Pulsed (Icm) 75A  Microsemi Corporation Current - Collector Pulsed (Icm) 75A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 75A  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 75A   IGBT 类型 NPT  Microsemi Corporation IGBT 类型 NPT  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 NPT  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 NPT   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 3V @ 15V，25A  Microsemi Corporation 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 3V @ 15V，25A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 3V @ 15V，25A  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 3V @ 15V，25A   25°C 时 Td（开/关）值 14ns/185ns  Microsemi Corporation 25°C 时 Td（开/关）值 14ns/185ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 14ns/185ns  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 14ns/185ns   栅极电荷 170nC  Microsemi Corporation 栅极电荷 170nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 170nC  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 170nC