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产品规格

封装/外壳	TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
制造商	Microsemi Corporation
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	POWER MOS 7?
包装	管件
零件状态	不可用于新设计
供应商器件封装	D3 [S]
输入类型	标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Power - Max	543W
Current - Collector (Ic) (Max)	100A
测试条件	400V，40A，5 欧姆，15V
开关能量	385μJ（开），352μJ（关）
Current - Collector Pulsed (Icm)	160A
IGBT 类型	PT
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	2.7V @ 15V，40A
25°C 时 Td（开/关）值	20ns/64ns
栅极电荷	135nC
关键词

产品资料

数据列表	APT40GP60(B,S)
标准包装	1

封装/外壳 TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA  Microsemi Corporation 封装/外壳 TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA   制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 制造商 Microsemi Corporation  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Microsemi Corporation   安装类型 表面贴装  Microsemi Corporation 安装类型 表面贴装  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Microsemi Corporation 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 POWER MOS 7?  Microsemi Corporation 系列 POWER MOS 7?  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 POWER MOS 7?  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 POWER MOS 7?   包装 管件   Microsemi Corporation 包装 管件   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件   Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 不可用于新设计  Microsemi Corporation 零件状态 不可用于新设计  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 不可用于新设计  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 不可用于新设计   供应商器件封装 D3 [S]  Microsemi Corporation 供应商器件封装 D3 [S]  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 D3 [S]  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 D3 [S]   输入类型 标准  Microsemi Corporation 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  Microsemi Corporation Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V   Power - Max 543W  Microsemi Corporation Power - Max 543W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 543W  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 543W   Current - Collector (Ic) (Max) 100A  Microsemi Corporation Current - Collector (Ic) (Max) 100A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 100A  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 100A   测试条件 400V，40A，5 欧姆，15V  Microsemi Corporation 测试条件 400V，40A，5 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 400V，40A，5 欧姆，15V  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 400V，40A，5 欧姆，15V   开关能量 385μJ（开），352μJ（关）  Microsemi Corporation 开关能量 385μJ（开），352μJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 385μJ（开），352μJ（关）  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 385μJ（开），352μJ（关）   Current - Collector Pulsed (Icm) 160A  Microsemi Corporation Current - Collector Pulsed (Icm) 160A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 160A  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 160A   IGBT 类型 PT  Microsemi Corporation IGBT 类型 PT  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 PT  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 PT   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.7V @ 15V，40A  Microsemi Corporation 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.7V @ 15V，40A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.7V @ 15V，40A  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.7V @ 15V，40A   25°C 时 Td（开/关）值 20ns/64ns  Microsemi Corporation 25°C 时 Td（开/关）值 20ns/64ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 20ns/64ns  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 20ns/64ns   栅极电荷 135nC  Microsemi Corporation 栅极电荷 135nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 135nC  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 135nC