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产品规格

封装/外壳	TO-247-3
制造商	Microsemi Corporation
安装类型	通孔
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
系列	-
包装	管件
零件状态	在售
供应商器件封装	TO-247 [B]
输入类型	标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Power - Max	366W
Current - Collector (Ic) (Max)	107A
测试条件	400V，50A，4.3 欧姆，15V
开关能量	1185μJ（开），1565μJ（关）
Current - Collector Pulsed (Icm)	150A
IGBT 类型	沟槽型场截止
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	1.85V @ 15V，50A
25°C 时 Td（开/关）值	20ns/230ns
栅极电荷	325nC
关键词

产品资料

数据列表	APT50GN60(B,S)(G) Power Products Catalog
标准包装	30
其它名称	APT50GN60BGMI APT50GN60BGMI-ND

封装/外壳 TO-247-3  Microsemi Corporation 封装/外壳 TO-247-3  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3   制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 制造商 Microsemi Corporation  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Microsemi Corporation   安装类型 通孔  Microsemi Corporation 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  Microsemi Corporation 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）   系列 -  Microsemi Corporation 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   包装 管件   Microsemi Corporation 包装 管件   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件   Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 在售  Microsemi Corporation 零件状态 在售  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-247 [B]  Microsemi Corporation 供应商器件封装 TO-247 [B]  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-247 [B]  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-247 [B]   输入类型 标准  Microsemi Corporation 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  Microsemi Corporation Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V   Power - Max 366W  Microsemi Corporation Power - Max 366W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 366W  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 366W   Current - Collector (Ic) (Max) 107A  Microsemi Corporation Current - Collector (Ic) (Max) 107A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 107A  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 107A   测试条件 400V，50A，4.3 欧姆，15V  Microsemi Corporation 测试条件 400V，50A，4.3 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 400V，50A，4.3 欧姆，15V  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 400V，50A，4.3 欧姆，15V   开关能量 1185μJ（开），1565μJ（关）  Microsemi Corporation 开关能量 1185μJ（开），1565μJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 1185μJ（开），1565μJ（关）  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 1185μJ（开），1565μJ（关）   Current - Collector Pulsed (Icm) 150A  Microsemi Corporation Current - Collector Pulsed (Icm) 150A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 150A  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 150A   IGBT 类型 沟槽型场截止  Microsemi Corporation IGBT 类型 沟槽型场截止  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟槽型场截止  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟槽型场截止   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.85V @ 15V，50A  Microsemi Corporation 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.85V @ 15V，50A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.85V @ 15V，50A  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.85V @ 15V，50A   25°C 时 Td（开/关）值 20ns/230ns  Microsemi Corporation 25°C 时 Td（开/关）值 20ns/230ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 20ns/230ns  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 20ns/230ns   栅极电荷 325nC  Microsemi Corporation 栅极电荷 325nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 325nC  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 325nC