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APT50GP60B2DQ2G
APT50GP60B2DQ2G -
IGBT 600V 150A 625W TMAX
不推荐用于新设计,因为可能有最低订货量限制。 请参阅“替代封装”或“替代品”选项。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
制造商产品编号:
APT50GP60B2DQ2G
仓库库存编号:
APT50GP60B2DQ2G-ND
描述:
IGBT 600V 150A 625W TMAX
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT PT 600V 150A 625W Through Hole
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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APT50GP60B2DQ2G产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-247-3 变式
制造商
Microsemi Corporation
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
POWER MOS 7?
包装
管件
零件状态
不可用于新设计
输入类型
标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600V
Power - Max
625W
Current - Collector (Ic) (Max)
150A
测试条件
400V,50A,4.3 欧姆,15V
开关能量
465μJ(开),635μJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm)
190A
IGBT 类型
PT
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
2.7V @ 15V,50A
25°C 时 Td(开/关)值
19ns/85ns
栅极电荷
165nC
关键词
产品资料
数据列表
APT50GP60B2DQ2(G)
标准包装
30
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APT50GP60B2DQ2GMI
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制造商 Microsemi Corporation
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Microsemi Corporation
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安装类型 通孔
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系列 POWER MOS 7?
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零件状态 不可用于新设计
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输入类型 标准
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Current - Collector (Ic) (Max) 150A
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测试条件 400V,50A,4.3 欧姆,15V
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IGBT 类型 PT
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25°C 时 Td(开/关)值 19ns/85ns
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栅极电荷 165nC
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