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产品规格

封装/外壳	TO-247-3
制造商	Microsemi Corporation
安装类型	通孔
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	POWER MOS 7?
包装	管件
零件状态	不可用于新设计
供应商器件封装	TO-247 [B]
输入类型	标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Power - Max	625W
Current - Collector (Ic) (Max)	100A
测试条件	400V，50A，5 欧姆，15V
开关能量	465μJ（开），637μJ（关）
Current - Collector Pulsed (Icm)	190A
IGBT 类型	PT
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	2.7V @ 15V，50A
25°C 时 Td（开/关）值	19ns/83ns
栅极电荷	165nC
关键词

产品资料

数据列表	APT50GP60(B,S)
标准包装	30
其它名称	APT50GP60BGMI APT50GP60BGMI-ND

封装/外壳 TO-247-3  Microsemi Corporation 封装/外壳 TO-247-3  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3   制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 制造商 Microsemi Corporation  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Microsemi Corporation   安装类型 通孔  Microsemi Corporation 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Microsemi Corporation 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 POWER MOS 7?  Microsemi Corporation 系列 POWER MOS 7?  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 POWER MOS 7?  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 POWER MOS 7?   包装 管件   Microsemi Corporation 包装 管件   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件   Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 不可用于新设计  Microsemi Corporation 零件状态 不可用于新设计  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 不可用于新设计  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 不可用于新设计   供应商器件封装 TO-247 [B]  Microsemi Corporation 供应商器件封装 TO-247 [B]  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-247 [B]  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-247 [B]   输入类型 标准  Microsemi Corporation 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  Microsemi Corporation Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V   Power - Max 625W  Microsemi Corporation Power - Max 625W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 625W  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 625W   Current - Collector (Ic) (Max) 100A  Microsemi Corporation Current - Collector (Ic) (Max) 100A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 100A  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 100A   测试条件 400V，50A，5 欧姆，15V  Microsemi Corporation 测试条件 400V，50A，5 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 400V，50A，5 欧姆，15V  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 400V，50A，5 欧姆，15V   开关能量 465μJ（开），637μJ（关）  Microsemi Corporation 开关能量 465μJ（开），637μJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 465μJ（开），637μJ（关）  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 465μJ（开），637μJ（关）   Current - Collector Pulsed (Icm) 190A  Microsemi Corporation Current - Collector Pulsed (Icm) 190A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 190A  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 190A   IGBT 类型 PT  Microsemi Corporation IGBT 类型 PT  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 PT  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 PT   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.7V @ 15V，50A  Microsemi Corporation 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.7V @ 15V，50A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.7V @ 15V，50A  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.7V @ 15V，50A   25°C 时 Td（开/关）值 19ns/83ns  Microsemi Corporation 25°C 时 Td（开/关）值 19ns/83ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 19ns/83ns  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 19ns/83ns   栅极电荷 165nC  Microsemi Corporation 栅极电荷 165nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 165nC  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 165nC