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产品规格

封装/外壳	SOT-227-4，miniBLOC
制造商	Microsemi Corporation
安装类型	底座安装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	POWER MOS 8??
零件状态	在售
供应商器件封装	ISOTOP?
输入	标准
配置	单一
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Power - Max	356W
电流 - 集电极截止（最大值）	275μA
Current - Collector (Ic) (Max)	112A
IGBT 类型	PT
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	2.5V @ 15V，62A
NTC 热敏电阻	无
不同?Vce 时的输入电容（Cies）	8.01nF @ 25V
关键词

产品资料

数据列表	APT60GA60JD60
标准包装	1

封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC  Microsemi Corporation 封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC  晶体管 - IGBT - 模块 封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC   制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 制造商 Microsemi Corporation  晶体管 - IGBT - 模块 制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 制造商 Microsemi Corporation   安装类型 底座安装  Microsemi Corporation 安装类型 底座安装  晶体管 - IGBT - 模块 安装类型 底座安装  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 安装类型 底座安装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Microsemi Corporation 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - IGBT - 模块 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 POWER MOS 8??  Microsemi Corporation 系列 POWER MOS 8??  晶体管 - IGBT - 模块 系列 POWER MOS 8??  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 系列 POWER MOS 8??   零件状态 在售  Microsemi Corporation 零件状态 在售  晶体管 - IGBT - 模块 零件状态 在售  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 零件状态 在售   供应商器件封装 ISOTOP?  Microsemi Corporation 供应商器件封装 ISOTOP?  晶体管 - IGBT - 模块 供应商器件封装 ISOTOP?  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 供应商器件封装 ISOTOP?   输入 标准  Microsemi Corporation 输入 标准  晶体管 - IGBT - 模块 输入 标准  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 输入 标准   配置 单一  Microsemi Corporation 配置 单一  晶体管 - IGBT - 模块 配置 单一  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 配置 单一   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  Microsemi Corporation Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  晶体管 - IGBT - 模块 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V   Power - Max 356W  Microsemi Corporation Power - Max 356W  晶体管 - IGBT - 模块 Power - Max 356W  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 Power - Max 356W   电流 - 集电极截止（最大值） 275μA  Microsemi Corporation 电流 - 集电极截止（最大值） 275μA  晶体管 - IGBT - 模块 电流 - 集电极截止（最大值） 275μA  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 电流 - 集电极截止（最大值） 275μA   Current - Collector (Ic) (Max) 112A  Microsemi Corporation Current - Collector (Ic) (Max) 112A  晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector (Ic) (Max) 112A  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector (Ic) (Max) 112A   IGBT 类型 PT  Microsemi Corporation IGBT 类型 PT  晶体管 - IGBT - 模块 IGBT 类型 PT  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 IGBT 类型 PT   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.5V @ 15V，62A  Microsemi Corporation 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.5V @ 15V，62A  晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.5V @ 15V，62A  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.5V @ 15V，62A   NTC 热敏电阻 无  Microsemi Corporation NTC 热敏电阻 无  晶体管 - IGBT - 模块 NTC 热敏电阻 无  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 NTC 热敏电阻 无   不同?Vce 时的输入电容（Cies） 8.01nF @ 25V  Microsemi Corporation 不同?Vce 时的输入电容（Cies） 8.01nF @ 25V  晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vce 时的输入电容（Cies） 8.01nF @ 25V  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vce 时的输入电容（Cies） 8.01nF @ 25V