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APT70GR65B2SCD30 - 

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

  • 非库存货
Microsemi Corporation APT70GR65B2SCD30
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
APT70GR65B2SCD30
仓库库存编号:
APT70GR65B2SCD30-ND
描述:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole T-MAX? [B2]
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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APT70GR65B2SCD30产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-247-3  
  制造商  Microsemi Corporation  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  *  
  包装  散装   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  T-MAX? [B2]  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  650V  
  Power - Max  595W  
  Current - Collector (Ic) (Max)  134A  
  测试条件  433V,70A,4.3 欧姆,15V  
  Current - Collector Pulsed (Icm)  260A  
  IGBT 类型  NPT  
  不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)  2.4V @ 15V,70A  
  25°C 时 Td(开/关)值  19ns/170ns  
  栅极电荷  305nC  
关键词         

产品资料
数据列表 APT70GR65B2SCD30
标准包装 1

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