APT75GN120LG,Microsemi Corporation,分立半导体产品,晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

APT75GN120LG - 

IGBT 1200V 200A 833W TO264

Microsemi Corporation APT75GN120LG
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
APT75GN120LG
仓库库存编号：
APT75GN120LG-ND
描述：
IGBT 1200V 200A 833W TO264
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
IGBT Trench Field Stop 1200V 200A 833W Through Hole TO-264 [L]
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

APT75GN120LG产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-264-3，TO-264AA  
  制造商  Microsemi Corporation  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  TO-264 [L]  
  输入类型  标准  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  1200V  
  Power - Max  833W  
  Current - Collector (Ic) (Max)  200A  
  测试条件  800V，75A，1 欧姆，15V  
  开关能量  8620μJ（开），11400μJ（关）  
  Current - Collector Pulsed (Icm)  225A  
  IGBT 类型  沟槽型场截止  
  不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）  2.1V @ 15V，75A  
  25°C 时 Td（开/关）值  60ns/620ns  
  栅极电荷  425nC  
关键词         

产品资料
数据列表 APT75GN120(B2,L)(G)
标准包装 25
其它名称 APT75GN120LGMI
APT75GN120LGMI-ND

APT75GN120LG您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

APT75GN120LG相关搜索

封装/外壳 TO-264-3，TO-264AA  Microsemi Corporation 封装/外壳 TO-264-3，TO-264AA  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-264-3，TO-264AA  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-264-3，TO-264AA   制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 制造商 Microsemi Corporation  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Microsemi Corporation   安装类型 通孔  Microsemi Corporation 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Microsemi Corporation 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Microsemi Corporation 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   包装 管件   Microsemi Corporation 包装 管件   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件   Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 在售  Microsemi Corporation 零件状态 在售  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-264 [L]  Microsemi Corporation 供应商器件封装 TO-264 [L]  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-264 [L]  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-264 [L]   输入类型 标准  Microsemi Corporation 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  Microsemi Corporation Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V   Power - Max 833W  Microsemi Corporation Power - Max 833W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 833W  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 833W   Current - Collector (Ic) (Max) 200A  Microsemi Corporation Current - Collector (Ic) (Max) 200A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 200A  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 200A   测试条件 800V，75A，1 欧姆，15V  Microsemi Corporation 测试条件 800V，75A，1 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 800V，75A，1 欧姆，15V  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 800V，75A，1 欧姆，15V   开关能量 8620μJ（开），11400μJ（关）  Microsemi Corporation 开关能量 8620μJ（开），11400μJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 8620μJ（开），11400μJ（关）  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 8620μJ（开），11400μJ（关）   Current - Collector Pulsed (Icm) 225A  Microsemi Corporation Current - Collector Pulsed (Icm) 225A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 225A  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 225A   IGBT 类型 沟槽型场截止  Microsemi Corporation IGBT 类型 沟槽型场截止  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟槽型场截止  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟槽型场截止   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.1V @ 15V，75A  Microsemi Corporation 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.1V @ 15V，75A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.1V @ 15V，75A  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.1V @ 15V，75A   25°C 时 Td（开/关）值 60ns/620ns  Microsemi Corporation 25°C 时 Td（开/关）值 60ns/620ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 60ns/620ns  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 60ns/620ns   栅极电荷 425nC  Microsemi Corporation 栅极电荷 425nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 425nC  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 425nC  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号