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APT77N60BC6
APT77N60BC6 -
MOSFET N-CH 600V 77A TO-247
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
制造商产品编号:
APT77N60BC6
仓库库存编号:
APT77N60BC6-ND
描述:
MOSFET N-CH 600V 77A TO-247
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 77A(Tc) 481W(Tc) TO-247 [B]
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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APT77N60BC6产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-247-3
制造商
Microsemi Corporation
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
CoolMOS??
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-247 [B]
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
260nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
41 毫欧 @ 44.4A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
77A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
13600pF @ 25V
FET 功能
超级结
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3.6V @ 2.96mA
功率耗散(最大值)
481W(Tc)
漏源电压(Vdss)
600V
关键词
产品资料
数据列表
APT77N60BC6,SC6
标准包装
30
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 47A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 47A(Tc) 417W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT47N60BC3G
仓库库存编号:
APT47N60BC3G-ND
别名:APT47N60BC3GMI
APT47N60BC3GMI-ND
无铅
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制造商 Microsemi Corporation
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安装类型 通孔
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