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产品规格

封装/外壳	TO-264-3，TO-264AA
制造商	Microsemi Corporation
安装类型	通孔
工作温度	-
系列	POWER MOS 8??
包装	管件
零件状态	在售
供应商器件封装	TO-264
输入类型	标准
反向恢复时间（trr）	25ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	900V
Power - Max	625W
Current - Collector (Ic) (Max)	145A
测试条件	600V，47A，4.7 欧姆，15V
开关能量	1652μJ（开），1389μJ（关）
Current - Collector Pulsed (Icm)	239A
IGBT 类型	PT
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	3.1V @ 15V，47A
25°C 时 Td（开/关）值	18ns/149ns
栅极电荷	200nC
关键词

产品资料

数据列表	Power Products Catalog APT80GA90LD40
标准包装	25
其它名称	Q4945437

封装/外壳 TO-264-3，TO-264AA  Microsemi Corporation 封装/外壳 TO-264-3，TO-264AA  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-264-3，TO-264AA  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-264-3，TO-264AA   制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 制造商 Microsemi Corporation  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Microsemi Corporation   安装类型 通孔  Microsemi Corporation 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -  Microsemi Corporation 工作温度 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -   系列 POWER MOS 8??  Microsemi Corporation 系列 POWER MOS 8??  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 POWER MOS 8??  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 POWER MOS 8??   包装 管件   Microsemi Corporation 包装 管件   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件   Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 在售  Microsemi Corporation 零件状态 在售  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-264  Microsemi Corporation 供应商器件封装 TO-264  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-264  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-264   输入类型 标准  Microsemi Corporation 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   反向恢复时间（trr） 25ns  Microsemi Corporation 反向恢复时间（trr） 25ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 25ns  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 25ns   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 900V  Microsemi Corporation Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 900V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 900V  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 900V   Power - Max 625W  Microsemi Corporation Power - Max 625W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 625W  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 625W   Current - Collector (Ic) (Max) 145A  Microsemi Corporation Current - Collector (Ic) (Max) 145A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 145A  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 145A   测试条件 600V，47A，4.7 欧姆，15V  Microsemi Corporation 测试条件 600V，47A，4.7 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 600V，47A，4.7 欧姆，15V  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 600V，47A，4.7 欧姆，15V   开关能量 1652μJ（开），1389μJ（关）  Microsemi Corporation 开关能量 1652μJ（开），1389μJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 1652μJ（开），1389μJ（关）  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 1652μJ（开），1389μJ（关）   Current - Collector Pulsed (Icm) 239A  Microsemi Corporation Current - Collector Pulsed (Icm) 239A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 239A  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 239A   IGBT 类型 PT  Microsemi Corporation IGBT 类型 PT  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 PT  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 PT   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 3.1V @ 15V，47A  Microsemi Corporation 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 3.1V @ 15V，47A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 3.1V @ 15V，47A  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 3.1V @ 15V，47A   25°C 时 Td（开/关）值 18ns/149ns  Microsemi Corporation 25°C 时 Td（开/关）值 18ns/149ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 18ns/149ns  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 18ns/149ns   栅极电荷 200nC  Microsemi Corporation 栅极电荷 200nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 200nC  Microsemi Corporation 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 200nC