APT80SM120J,Microsemi Corporation,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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APT80SM120J
APT80SM120J -
POWER MOSFET - SIC
非库存货
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
制造商产品编号:
APT80SM120J
仓库库存编号:
APT80SM120J-ND
描述:
POWER MOSFET - SIC
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
底座安装 N 沟道 1200V 51A(Tc) 273W(Tc) SOT-227
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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APT80SM120J产品属性
产品规格
封装/外壳
SOT-227-4,miniBLOC
制造商
Microsemi Corporation
安装类型
底座安装
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
-
包装
散装
零件状态
在售
供应商器件封装
SOT-227
技术
SiCFET(碳化硅)
Vgs(最大值)
+25V,-10V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
235nC @ 20V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
55 毫欧 @ 40A,20V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
20V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
51A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
-
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
功率耗散(最大值)
273W(Tc)
漏源电压(Vdss)
1200V
关键词
产品资料
数据列表
APT80SM120J
标准包装
1
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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