APT94N60L2C3G,Microsemi Corporation,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
>
APT94N60L2C3G
APT94N60L2C3G -
MOSFET N-CH 600V 94A TO264
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
制造商产品编号:
APT94N60L2C3G
仓库库存编号:
APT94N60L2C3G-ND
描述:
MOSFET N-CH 600V 94A TO264
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 94A(Tc) 833W(Tc) 264 MAX? [L2]
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
APT94N60L2C3G产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-264-3,TO-264AA
制造商
Microsemi Corporation
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
264 MAX? [L2]
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
640nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
35 毫欧 @ 60A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
94A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
13600pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3.9V @ 5.4mA
功率耗散(最大值)
833W(Tc)
漏源电压(Vdss)
600V
关键词
产品资料
数据列表
APT94N60L2C3
Power Products Catalog
标准包装
25
其它名称
APT94N60L2C3GMI
APT94N60L2C3GMI-ND
APT94N60L2C3G您可能还对以下元器件感兴趣
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 106A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 106A(Tc) 833W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT106N60B2C6
仓库库存编号:
APT106N60B2C6-ND
无铅
搜索
APT94N60L2C3G相关搜索
封装/外壳 TO-264-3,TO-264AA
Microsemi Corporation 封装/外壳 TO-264-3,TO-264AA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-264-3,TO-264AA
Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-264-3,TO-264AA
制造商 Microsemi Corporation
Microsemi Corporation 制造商 Microsemi Corporation
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Microsemi Corporation
Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Microsemi Corporation
安装类型 通孔
Microsemi Corporation 安装类型 通孔
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 通孔
Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 通孔
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Microsemi Corporation 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
系列 -
Microsemi Corporation 系列 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -
Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -
包装 管件
Microsemi Corporation 包装 管件
晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 管件
Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 管件
零件状态 在售
Microsemi Corporation 零件状态 在售
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
供应商器件封装 264 MAX? [L2]
Microsemi Corporation 供应商器件封装 264 MAX? [L2]
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 264 MAX? [L2]
Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 264 MAX? [L2]
技术 MOSFET(金属氧化物)
Microsemi Corporation 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值) ±20V
Microsemi Corporation Vgs(最大值) ±20V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V
Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 640nC @ 10V
Microsemi Corporation 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 640nC @ 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 640nC @ 10V
Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 640nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 35 毫欧 @ 60A,10V
Microsemi Corporation 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 35 毫欧 @ 60A,10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 35 毫欧 @ 60A,10V
Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 35 毫欧 @ 60A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
Microsemi Corporation 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
FET 类型 N 沟道
Microsemi Corporation FET 类型 N 沟道
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 94A(Tc)
Microsemi Corporation 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 94A(Tc)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 94A(Tc)
Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 94A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 13600pF @ 25V
Microsemi Corporation 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 13600pF @ 25V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 13600pF @ 25V
Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 13600pF @ 25V
FET 功能 -
Microsemi Corporation FET 功能 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 5.4mA
Microsemi Corporation 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 5.4mA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 5.4mA
Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 5.4mA
功率耗散(最大值) 833W(Tc)
Microsemi Corporation 功率耗散(最大值) 833W(Tc)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 833W(Tc)
Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 833W(Tc)
漏源电压(Vdss) 600V
Microsemi Corporation 漏源电压(Vdss) 600V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 600V
Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 600V
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号