APTC60DDAM45T1G,Microsemi Corporation,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

APTC60DDAM45T1G - 

MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1

  • 非库存货
Microsemi Corporation APTC60DDAM45T1G
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
APTC60DDAM45T1G
仓库库存编号:
APTC60DDAM45T1G-ND
描述:
MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array 2 N Channel (Dual Buck Chopper) 600V 49A 250W Chassis Mount SP1
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

APTC60DDAM45T1G产品属性


产品规格
  封装/外壳  SP1  
  制造商  Microsemi Corporation  
  安装类型  底座安装  
  工作温度  -40°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  CoolMOS??  
  包装  托盘   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  SP1  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  150nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  45 毫欧 @ 24.5A,10V  
  FET 类型  2 N 沟道(双路降压斩波器)  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  49A  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  7200pF @ 25V  
  FET 功能  超级结  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  3.9V @ 3mA  
  漏源电压(Vdss)  600V  
  功率 - 最大值  250W  
关键词         

产品资料
数据列表 APTC60DDAM45T1G
标准包装 1

APTC60DDAM45T1G相关搜索

封装/外壳 SP1  Microsemi Corporation 封装/外壳 SP1  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 封装/外壳 SP1  Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 封装/外壳 SP1   制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 制造商 Microsemi Corporation  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 Microsemi Corporation   安装类型 底座安装  Microsemi Corporation 安装类型 底座安装  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 底座安装  Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 底座安装   工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)  Microsemi Corporation 工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)  Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)   系列 CoolMOS??  Microsemi Corporation 系列 CoolMOS??  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 系列 CoolMOS??  Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 系列 CoolMOS??   包装 托盘   Microsemi Corporation 包装 托盘   晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 包装 托盘   Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 包装 托盘    零件状态 在售  Microsemi Corporation 零件状态 在售  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 零件状态 在售  Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 SP1  Microsemi Corporation 供应商器件封装 SP1  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 供应商器件封装 SP1  Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 供应商器件封装 SP1   不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V  Microsemi Corporation 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V  Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 150nC @ 10V   不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 45 毫欧 @ 24.5A,10V  Microsemi Corporation 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 45 毫欧 @ 24.5A,10V  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 45 毫欧 @ 24.5A,10V  Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 45 毫欧 @ 24.5A,10V   FET 类型 2 N 沟道(双路降压斩波器)  Microsemi Corporation FET 类型 2 N 沟道(双路降压斩波器)  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 类型 2 N 沟道(双路降压斩波器)  Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 类型 2 N 沟道(双路降压斩波器)   电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 49A  Microsemi Corporation 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 49A  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 49A  Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 49A   不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7200pF @ 25V  Microsemi Corporation 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7200pF @ 25V  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7200pF @ 25V  Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7200pF @ 25V   FET 功能 超级结  Microsemi Corporation FET 功能 超级结  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 功能 超级结  Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 功能 超级结   不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 3mA  Microsemi Corporation 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 3mA  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 3mA  Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 3mA   漏源电压(Vdss) 600V  Microsemi Corporation 漏源电压(Vdss) 600V  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 漏源电压(Vdss) 600V  Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 漏源电压(Vdss) 600V   功率 - 最大值 250W  Microsemi Corporation 功率 - 最大值 250W  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 250W  Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 250W  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号