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产品规格

封装/外壳	SP1
制造商	Microsemi Corporation
安装类型	底座安装
工作温度	-40°C ~ 150°C（TJ）
系列	CoolMOS??
包装	托盘
零件状态	在售
供应商器件封装	SP1
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	259nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	70 毫欧 @ 39A，10V
FET 类型	2 N 沟道（双路降压斩波器）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	39A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	700pF @ 25V
FET 功能	超级结
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.9V @ 2.7mA
漏源电压（Vdss）	600V
功率 - 最大值	250W
关键词

产品资料

数据列表	APTC60DSKM70T1G
标准包装	1

封装/外壳 SP1  Microsemi Corporation 封装/外壳 SP1  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 SP1  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 SP1   制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 制造商 Microsemi Corporation  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Microsemi Corporation   安装类型 底座安装  Microsemi Corporation 安装类型 底座安装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 底座安装  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 底座安装   工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  Microsemi Corporation 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）   系列 CoolMOS??  Microsemi Corporation 系列 CoolMOS??  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 CoolMOS??  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 CoolMOS??   包装 托盘   Microsemi Corporation 包装 托盘   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 托盘   Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 托盘    零件状态 在售  Microsemi Corporation 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 SP1  Microsemi Corporation 供应商器件封装 SP1  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 SP1  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 SP1   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 259nC @ 10V  Microsemi Corporation 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 259nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 259nC @ 10V  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 259nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 70 毫欧 @ 39A，10V  Microsemi Corporation 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 70 毫欧 @ 39A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 70 毫欧 @ 39A，10V  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 70 毫欧 @ 39A，10V   FET 类型 2 N 沟道（双路降压斩波器）  Microsemi Corporation FET 类型 2 N 沟道（双路降压斩波器）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 N 沟道（双路降压斩波器）  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 N 沟道（双路降压斩波器）   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 39A  Microsemi Corporation 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 39A  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 39A  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 39A   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 700pF @ 25V  Microsemi Corporation 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 700pF @ 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 700pF @ 25V  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 700pF @ 25V   FET 功能 超级结  Microsemi Corporation FET 功能 超级结  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 超级结  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 超级结   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 2.7mA  Microsemi Corporation 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 2.7mA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 2.7mA  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 2.7mA   漏源电压（Vdss） 600V  Microsemi Corporation 漏源电压（Vdss） 600V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 600V  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 600V   功率 - 最大值 250W  Microsemi Corporation 功率 - 最大值 250W  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 250W  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 250W