APTC60TAM21SCTPAG,Microsemi Corporation,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
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APTC60TAM21SCTPAG - 

MOSFET 6N-CH 600V 116A SP6-P

  • 非库存货
Microsemi Corporation APTC60TAM21SCTPAG
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
APTC60TAM21SCTPAG
仓库库存编号:
APTC60TAM21SCTPAG-ND
描述:
MOSFET 6N-CH 600V 116A SP6-P
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 600V 116A 625W Chassis Mount SP6-P
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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APTC60TAM21SCTPAG产品属性


产品规格
  封装/外壳  模块  
  制造商  Microsemi Corporation  
  安装类型  底座安装  
  工作温度  -40°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  CoolMOS??  
  包装  散装   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  SP6-P  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  580nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  21 毫欧 @ 88A,10V  
  FET 类型  6 N-沟道(3 相桥)  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  116A  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  13000pF @ 100V  
  FET 功能  标准  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  3.6V @ 6mA  
  漏源电压(Vdss)  600V  
  功率 - 最大值  625W  
关键词         

产品资料
数据列表 APTC60TAM21SCTPAG
标准包装 1

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