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产品规格

封装/外壳	SP6
制造商	Microsemi Corporation
安装类型	底座安装
工作温度	-40°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	散装
零件状态	在售
供应商器件封装	SP6-P
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	180nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	150 毫欧 @ 14A，10V
FET 类型	6 N-沟道（3 相桥）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	28A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	4507pF @ 25V
FET 功能	标准
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.9V @ 2mA
漏源电压（Vdss）	800V
功率 - 最大值	277W
关键词

产品资料

数据列表	APTC80TDU15PG
标准包装	1

封装/外壳 SP6  Microsemi Corporation 封装/外壳 SP6  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 SP6  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 SP6   制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 制造商 Microsemi Corporation  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Microsemi Corporation   安装类型 底座安装  Microsemi Corporation 安装类型 底座安装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 底座安装  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 底座安装   工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  Microsemi Corporation 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Microsemi Corporation 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -   包装 散装   Microsemi Corporation 包装 散装   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 散装   Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 散装    零件状态 在售  Microsemi Corporation 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 SP6-P  Microsemi Corporation 供应商器件封装 SP6-P  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 SP6-P  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 SP6-P   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 180nC @ 10V  Microsemi Corporation 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 180nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 180nC @ 10V  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 180nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 150 毫欧 @ 14A，10V  Microsemi Corporation 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 150 毫欧 @ 14A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 150 毫欧 @ 14A，10V  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 150 毫欧 @ 14A，10V   FET 类型 6 N-沟道（3 相桥）  Microsemi Corporation FET 类型 6 N-沟道（3 相桥）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 6 N-沟道（3 相桥）  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 6 N-沟道（3 相桥）   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 28A  Microsemi Corporation 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 28A  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 28A  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 28A   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4507pF @ 25V  Microsemi Corporation 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4507pF @ 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4507pF @ 25V  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4507pF @ 25V   FET 功能 标准  Microsemi Corporation FET 功能 标准  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 2mA  Microsemi Corporation 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 2mA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 2mA  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 2mA   漏源电压（Vdss） 800V  Microsemi Corporation 漏源电压（Vdss） 800V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 800V  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 800V   功率 - 最大值 277W  Microsemi Corporation 功率 - 最大值 277W  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 277W  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 277W