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APTC90SKM60CT1G
APTC90SKM60CT1G -
MOSFET N-CH 900V 59A SP1
非库存货
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
制造商产品编号:
APTC90SKM60CT1G
仓库库存编号:
APTC90SKM60CT1G-ND
描述:
MOSFET N-CH 900V 59A SP1
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
底座安装 N 沟道 900V 59A(Tc) 462W(Tc) SP1
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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APTC90SKM60CT1G产品属性
产品规格
封装/外壳
SP1
制造商
Microsemi Corporation
安装类型
底座安装
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
系列
CoolMOS??
包装
散装
零件状态
在售
供应商器件封装
SP1
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
540nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
60 毫欧 @ 52A、 10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
59A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
13600pF @ 100V
FET 功能
超级结
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 6mA
功率耗散(最大值)
462W(Tc)
漏源电压(Vdss)
900V
关键词
产品资料
数据列表
APTC90SKM60CT1G
标准包装
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封装/外壳 SP1
Microsemi Corporation 封装/外壳 SP1
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 SP1
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制造商 Microsemi Corporation
Microsemi Corporation 制造商 Microsemi Corporation
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Microsemi Corporation
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安装类型 底座安装
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工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
Microsemi Corporation 工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
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系列 CoolMOS??
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 CoolMOS??
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包装 散装
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零件状态 在售
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供应商器件封装 SP1
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技术 MOSFET(金属氧化物)
Microsemi Corporation 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
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Vgs(最大值) ±20V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V
Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 540nC @ 10V
Microsemi Corporation 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 540nC @ 10V
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不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 60 毫欧 @ 52A、 10V
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FET 类型 N 沟道
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 59A(Tc)
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 13600pF @ 100V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 13600pF @ 100V
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FET 功能 超级结
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 6mA
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功率耗散(最大值) 462W(Tc)
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漏源电压(Vdss) 900V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 900V
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