APTCV60HM45BT3G,Microsemi Corporation,分立半导体产品,晶体管 - IGBT - 模块
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APTCV60HM45BT3G - 

POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3

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  • 非库存货
Microsemi Corporation APTCV60HM45BT3G
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
APTCV60HM45BT3G
仓库库存编号：
APTCV60HM45BT3G-ND
描述：
POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
IGBT Module Trench Field Stop Boost Chopper, Full Bridge 600V 50A 250W Chassis Mount SP3
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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APTCV60HM45BT3G产品属性


产品规格
  封装/外壳  SP3  
  制造商  Microsemi Corporation  
  安装类型  底座安装  
  工作温度  -40°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  -  
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  SP3  
  输入  标准  
  配置  升压斩波器，全桥  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  600V  
  Power - Max  250W  
  电流 - 集电极截止（最大值）  250μA  
  Current - Collector (Ic) (Max)  50A  
  IGBT 类型  沟槽型场截止  
  不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）  1.9V @ 15V，50A  
  NTC 热敏电阻  是  
  不同?Vce 时的输入电容（Cies）  3.15nF @ 25V  
关键词         

产品资料
数据列表 APTCV60HM45BT3G
标准包装 1

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