APTGF90H60T3G,Microsemi Corporation,分立半导体产品,晶体管 - IGBT - 模块
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

APTGF90H60T3G - 

POWER MOD IGBT FULL BRIDGE SP3

  • 已过时的产品。
Microsemi Corporation APTGF90H60T3G
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
APTGF90H60T3G
仓库库存编号:
APTGF90H60T3G-ND
描述:
POWER MOD IGBT FULL BRIDGE SP3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT Module NPT Full Bridge Inverter 600V 120A 416W Chassis Mount SP3
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

APTGF90H60T3G产品属性


产品规格
  封装/外壳  SP3  
  制造商  Microsemi Corporation  
  安装类型  底座安装  
  工作温度  -  
  系列  -  
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  SP3  
  输入  标准  
  配置  全桥反相器  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  600V  
  Power - Max  416W  
  电流 - 集电极截止(最大值)  250μA  
  Current - Collector (Ic) (Max)  120A  
  IGBT 类型  NPT  
  不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)  2.45V @ 15V,100A  
  NTC 热敏电阻  是  
  不同?Vce 时的输入电容(Cies)  4.4nF @ 25V  
关键词         

产品资料
标准包装 1

APTGF90H60T3G相关搜索

封装/外壳 SP3  Microsemi Corporation 封装/外壳 SP3  晶体管 - IGBT - 模块 封装/外壳 SP3  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 封装/外壳 SP3   制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 制造商 Microsemi Corporation  晶体管 - IGBT - 模块 制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 制造商 Microsemi Corporation   安装类型 底座安装  Microsemi Corporation 安装类型 底座安装  晶体管 - IGBT - 模块 安装类型 底座安装  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 安装类型 底座安装   工作温度 -  Microsemi Corporation 工作温度 -  晶体管 - IGBT - 模块 工作温度 -  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 工作温度 -   系列 -  Microsemi Corporation 系列 -  晶体管 - IGBT - 模块 系列 -  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 系列 -   零件状态 过期  Microsemi Corporation 零件状态 过期  晶体管 - IGBT - 模块 零件状态 过期  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 零件状态 过期   供应商器件封装 SP3  Microsemi Corporation 供应商器件封装 SP3  晶体管 - IGBT - 模块 供应商器件封装 SP3  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 供应商器件封装 SP3   输入 标准  Microsemi Corporation 输入 标准  晶体管 - IGBT - 模块 输入 标准  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 输入 标准   配置 全桥反相器  Microsemi Corporation 配置 全桥反相器  晶体管 - IGBT - 模块 配置 全桥反相器  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 配置 全桥反相器   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  Microsemi Corporation Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  晶体管 - IGBT - 模块 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V   Power - Max 416W  Microsemi Corporation Power - Max 416W  晶体管 - IGBT - 模块 Power - Max 416W  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 Power - Max 416W   电流 - 集电极截止(最大值) 250μA  Microsemi Corporation 电流 - 集电极截止(最大值) 250μA  晶体管 - IGBT - 模块 电流 - 集电极截止(最大值) 250μA  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 电流 - 集电极截止(最大值) 250μA   Current - Collector (Ic) (Max) 120A  Microsemi Corporation Current - Collector (Ic) (Max) 120A  晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector (Ic) (Max) 120A  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector (Ic) (Max) 120A   IGBT 类型 NPT  Microsemi Corporation IGBT 类型 NPT  晶体管 - IGBT - 模块 IGBT 类型 NPT  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 IGBT 类型 NPT   不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.45V @ 15V,100A  Microsemi Corporation 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.45V @ 15V,100A  晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.45V @ 15V,100A  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.45V @ 15V,100A   NTC 热敏电阻 是  Microsemi Corporation NTC 热敏电阻 是  晶体管 - IGBT - 模块 NTC 热敏电阻 是  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 NTC 热敏电阻 是   不同?Vce 时的输入电容(Cies) 4.4nF @ 25V  Microsemi Corporation 不同?Vce 时的输入电容(Cies) 4.4nF @ 25V  晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vce 时的输入电容(Cies) 4.4nF @ 25V  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vce 时的输入电容(Cies) 4.4nF @ 25V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号