APTGFQ25H120T2G,Microsemi Corporation,分立半导体产品,晶体管 - IGBT - 模块
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

APTGFQ25H120T2G - 

IGBT 1200V 40A 227W MODULE

  • 不推荐用于新设计，因为可能有最低订货量限制。 请参阅“替代封装”或“替代品”选项。
Microsemi Corporation APTGFQ25H120T2G
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
APTGFQ25H120T2G
仓库库存编号：
APTGFQ25H120T2G-ND
描述：
IGBT 1200V 40A 227W MODULE
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
IGBT Module NPT and Fieldstop Full Bridge 1200V 40A 227W Through Hole SP2
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

APTGFQ25H120T2G产品属性


产品规格
  封装/外壳  SP2  
  制造商  Microsemi Corporation  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -  
  系列  -  
  零件状态  不可用于新设计  
  供应商器件封装  SP2  
  输入  标准  
  配置  全桥  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  1200V  
  Power - Max  227W  
  电流 - 集电极截止（最大值）  250μA  
  Current - Collector (Ic) (Max)  40A  
  IGBT 类型  NPT 型和场截止型  
  不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）  2.1V @ 15V，25A  
  NTC 热敏电阻  是  
  不同?Vce 时的输入电容（Cies）  2.02nF @ 25V  
关键词         

产品资料
标准包装 1

APTGFQ25H120T2G您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

APTGFQ25H120T2G相关搜索

封装/外壳 SP2  Microsemi Corporation 封装/外壳 SP2  晶体管 - IGBT - 模块 封装/外壳 SP2  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 封装/外壳 SP2   制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 制造商 Microsemi Corporation  晶体管 - IGBT - 模块 制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 制造商 Microsemi Corporation   安装类型 通孔  Microsemi Corporation 安装类型 通孔  晶体管 - IGBT - 模块 安装类型 通孔  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 安装类型 通孔   工作温度 -  Microsemi Corporation 工作温度 -  晶体管 - IGBT - 模块 工作温度 -  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 工作温度 -   系列 -  Microsemi Corporation 系列 -  晶体管 - IGBT - 模块 系列 -  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 系列 -   零件状态 不可用于新设计  Microsemi Corporation 零件状态 不可用于新设计  晶体管 - IGBT - 模块 零件状态 不可用于新设计  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 零件状态 不可用于新设计   供应商器件封装 SP2  Microsemi Corporation 供应商器件封装 SP2  晶体管 - IGBT - 模块 供应商器件封装 SP2  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 供应商器件封装 SP2   输入 标准  Microsemi Corporation 输入 标准  晶体管 - IGBT - 模块 输入 标准  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 输入 标准   配置 全桥  Microsemi Corporation 配置 全桥  晶体管 - IGBT - 模块 配置 全桥  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 配置 全桥   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  Microsemi Corporation Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  晶体管 - IGBT - 模块 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V   Power - Max 227W  Microsemi Corporation Power - Max 227W  晶体管 - IGBT - 模块 Power - Max 227W  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 Power - Max 227W   电流 - 集电极截止（最大值） 250μA  Microsemi Corporation 电流 - 集电极截止（最大值） 250μA  晶体管 - IGBT - 模块 电流 - 集电极截止（最大值） 250μA  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 电流 - 集电极截止（最大值） 250μA   Current - Collector (Ic) (Max) 40A  Microsemi Corporation Current - Collector (Ic) (Max) 40A  晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector (Ic) (Max) 40A  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector (Ic) (Max) 40A   IGBT 类型 NPT 型和场截止型  Microsemi Corporation IGBT 类型 NPT 型和场截止型  晶体管 - IGBT - 模块 IGBT 类型 NPT 型和场截止型  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 IGBT 类型 NPT 型和场截止型   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.1V @ 15V，25A  Microsemi Corporation 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.1V @ 15V，25A  晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.1V @ 15V，25A  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.1V @ 15V，25A   NTC 热敏电阻 是  Microsemi Corporation NTC 热敏电阻 是  晶体管 - IGBT - 模块 NTC 热敏电阻 是  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 NTC 热敏电阻 是   不同?Vce 时的输入电容（Cies） 2.02nF @ 25V  Microsemi Corporation 不同?Vce 时的输入电容（Cies） 2.02nF @ 25V  晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vce 时的输入电容（Cies） 2.02nF @ 25V  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vce 时的输入电容（Cies） 2.02nF @ 25V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号