APTGL120TDU120TPG,Microsemi Corporation,分立半导体产品,晶体管 - IGBT - 模块
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

APTGL120TDU120TPG - 

MOD IGBT 1200V 140A SP6-P

  • 非库存货
Microsemi Corporation APTGL120TDU120TPG
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
APTGL120TDU120TPG
仓库库存编号：
APTGL120TDU120TPG-ND
描述：
MOD IGBT 1200V 140A SP6-P
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
IGBT Module Trench Field Stop Triple, Dual - Common Source 1200V 140A 517W Chassis Mount SP6-P
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

APTGL120TDU120TPG产品属性


产品规格
  封装/外壳  模块  
  制造商  Microsemi Corporation  
  安装类型  底座安装  
  工作温度  -40°C ~ 175°C（TJ）  
  系列  -  
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  SP6-P  
  输入  标准  
  配置  三，双 - 共源  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  1200V  
  Power - Max  517W  
  电流 - 集电极截止（最大值）  250μA  
  Current - Collector (Ic) (Max)  140A  
  IGBT 类型  沟槽型场截止  
  不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）  2.15V @ 15V，100A  
  NTC 热敏电阻  是  
  不同?Vce 时的输入电容（Cies）  6.2nF @ 25V  
关键词         

产品资料
数据列表 APTGL120TDU120TPG
标准包装 1

APTGL120TDU120TPG相关搜索

封装/外壳 模块  Microsemi Corporation 封装/外壳 模块  晶体管 - IGBT - 模块 封装/外壳 模块  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 封装/外壳 模块   制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 制造商 Microsemi Corporation  晶体管 - IGBT - 模块 制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 制造商 Microsemi Corporation   安装类型 底座安装  Microsemi Corporation 安装类型 底座安装  晶体管 - IGBT - 模块 安装类型 底座安装  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 安装类型 底座安装   工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）  Microsemi Corporation 工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）  晶体管 - IGBT - 模块 工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）   系列 -  Microsemi Corporation 系列 -  晶体管 - IGBT - 模块 系列 -  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 系列 -   零件状态 在售  Microsemi Corporation 零件状态 在售  晶体管 - IGBT - 模块 零件状态 在售  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 零件状态 在售   供应商器件封装 SP6-P  Microsemi Corporation 供应商器件封装 SP6-P  晶体管 - IGBT - 模块 供应商器件封装 SP6-P  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 供应商器件封装 SP6-P   输入 标准  Microsemi Corporation 输入 标准  晶体管 - IGBT - 模块 输入 标准  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 输入 标准   配置 三，双 - 共源  Microsemi Corporation 配置 三，双 - 共源  晶体管 - IGBT - 模块 配置 三，双 - 共源  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 配置 三，双 - 共源   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  Microsemi Corporation Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  晶体管 - IGBT - 模块 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V   Power - Max 517W  Microsemi Corporation Power - Max 517W  晶体管 - IGBT - 模块 Power - Max 517W  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 Power - Max 517W   电流 - 集电极截止（最大值） 250μA  Microsemi Corporation 电流 - 集电极截止（最大值） 250μA  晶体管 - IGBT - 模块 电流 - 集电极截止（最大值） 250μA  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 电流 - 集电极截止（最大值） 250μA   Current - Collector (Ic) (Max) 140A  Microsemi Corporation Current - Collector (Ic) (Max) 140A  晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector (Ic) (Max) 140A  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector (Ic) (Max) 140A   IGBT 类型 沟槽型场截止  Microsemi Corporation IGBT 类型 沟槽型场截止  晶体管 - IGBT - 模块 IGBT 类型 沟槽型场截止  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 IGBT 类型 沟槽型场截止   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.15V @ 15V，100A  Microsemi Corporation 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.15V @ 15V，100A  晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.15V @ 15V，100A  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.15V @ 15V，100A   NTC 热敏电阻 是  Microsemi Corporation NTC 热敏电阻 是  晶体管 - IGBT - 模块 NTC 热敏电阻 是  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 NTC 热敏电阻 是   不同?Vce 时的输入电容（Cies） 6.2nF @ 25V  Microsemi Corporation 不同?Vce 时的输入电容（Cies） 6.2nF @ 25V  晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vce 时的输入电容（Cies） 6.2nF @ 25V  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vce 时的输入电容（Cies） 6.2nF @ 25V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号