APTGLQ100A65T1G,Microsemi Corporation,分立半导体产品,晶体管 - IGBT - 模块
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APTGLQ100A65T1G - 

PWR MOD IGBT4 650V 200A SP1

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Microsemi Corporation APTGLQ100A65T1G
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
APTGLQ100A65T1G
仓库库存编号：
APTGLQ100A65T1G-ND
描述：
PWR MOD IGBT4 650V 200A SP1
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 650V 200A 350W Through Hole SP1
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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APTGLQ100A65T1G产品属性


产品规格
  封装/外壳  SP1  
  制造商  Microsemi Corporation  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -40°C ~ 175°C（TJ）  
  系列  -  
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  SP1  
  输入  标准  
  配置  半桥  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  650V  
  Power - Max  350W  
  电流 - 集电极截止（最大值）  100μA  
  Current - Collector (Ic) (Max)  200A  
  IGBT 类型  沟槽型场截止  
  不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）  2.3V @ 15V，100A  
  NTC 热敏电阻  是  
  不同?Vce 时的输入电容（Cies）  6nF @ 25V  
关键词         

产品资料
数据列表 APTGLQ100A65T1G
APTGLQ100A65T1G
标准包装 1

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