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产品规格

封装/外壳	SP6
制造商	Microsemi Corporation
安装类型	底座安装
工作温度	-40°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
零件状态	在售
供应商器件封装	SP6
输入	标准
配置	半桥
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Power - Max	890W
电流 - 集电极截止（最大值）	350μA
Current - Collector (Ic) (Max)	280A
IGBT 类型	沟槽型场截止
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	2.1V @ 15V，200A
NTC 热敏电阻	无
不同?Vce 时的输入电容（Cies）	14nF @ 25V
关键词

产品资料

数据列表	APTGT200A120G Power Products Catalog
标准包装	1
其它名称	APTGT200A120GMI APTGT200A120GMI-ND

封装/外壳 SP6  Microsemi Corporation 封装/外壳 SP6  晶体管 - IGBT - 模块 封装/外壳 SP6  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 封装/外壳 SP6   制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 制造商 Microsemi Corporation  晶体管 - IGBT - 模块 制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 制造商 Microsemi Corporation   安装类型 底座安装  Microsemi Corporation 安装类型 底座安装  晶体管 - IGBT - 模块 安装类型 底座安装  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 安装类型 底座安装   工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  Microsemi Corporation 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - IGBT - 模块 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Microsemi Corporation 系列 -  晶体管 - IGBT - 模块 系列 -  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 系列 -   零件状态 在售  Microsemi Corporation 零件状态 在售  晶体管 - IGBT - 模块 零件状态 在售  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 零件状态 在售   供应商器件封装 SP6  Microsemi Corporation 供应商器件封装 SP6  晶体管 - IGBT - 模块 供应商器件封装 SP6  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 供应商器件封装 SP6   输入 标准  Microsemi Corporation 输入 标准  晶体管 - IGBT - 模块 输入 标准  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 输入 标准   配置 半桥  Microsemi Corporation 配置 半桥  晶体管 - IGBT - 模块 配置 半桥  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 配置 半桥   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  Microsemi Corporation Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  晶体管 - IGBT - 模块 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V   Power - Max 890W  Microsemi Corporation Power - Max 890W  晶体管 - IGBT - 模块 Power - Max 890W  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 Power - Max 890W   电流 - 集电极截止（最大值） 350μA  Microsemi Corporation 电流 - 集电极截止（最大值） 350μA  晶体管 - IGBT - 模块 电流 - 集电极截止（最大值） 350μA  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 电流 - 集电极截止（最大值） 350μA   Current - Collector (Ic) (Max) 280A  Microsemi Corporation Current - Collector (Ic) (Max) 280A  晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector (Ic) (Max) 280A  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector (Ic) (Max) 280A   IGBT 类型 沟槽型场截止  Microsemi Corporation IGBT 类型 沟槽型场截止  晶体管 - IGBT - 模块 IGBT 类型 沟槽型场截止  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 IGBT 类型 沟槽型场截止   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.1V @ 15V，200A  Microsemi Corporation 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.1V @ 15V，200A  晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.1V @ 15V，200A  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.1V @ 15V，200A   NTC 热敏电阻 无  Microsemi Corporation NTC 热敏电阻 无  晶体管 - IGBT - 模块 NTC 热敏电阻 无  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 NTC 热敏电阻 无   不同?Vce 时的输入电容（Cies） 14nF @ 25V  Microsemi Corporation 不同?Vce 时的输入电容（Cies） 14nF @ 25V  晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vce 时的输入电容（Cies） 14nF @ 25V  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vce 时的输入电容（Cies） 14nF @ 25V