关于我们 | 联系我们

库存查询

• 非库存货

产品规格

封装/外壳	D-3 模块
制造商	Microsemi Corporation
安装类型	底座安装
工作温度	-40°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
零件状态	在售
供应商器件封装	D3
输入	标准
配置	半桥
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Power - Max	2100W
电流 - 集电极截止（最大值）	750μA
Current - Collector (Ic) (Max)	580A
IGBT 类型	沟槽型场截止
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	2.1V @ 15V，400A
NTC 热敏电阻	无
不同?Vce 时的输入电容（Cies）	29nF @ 25V
关键词

产品资料

数据列表	Power Products Catalog APTGT400A120D3G
标准包装	1

封装/外壳 D-3 模块  Microsemi Corporation 封装/外壳 D-3 模块  晶体管 - IGBT - 模块 封装/外壳 D-3 模块  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 封装/外壳 D-3 模块   制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 制造商 Microsemi Corporation  晶体管 - IGBT - 模块 制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 制造商 Microsemi Corporation   安装类型 底座安装  Microsemi Corporation 安装类型 底座安装  晶体管 - IGBT - 模块 安装类型 底座安装  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 安装类型 底座安装   工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  Microsemi Corporation 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - IGBT - 模块 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Microsemi Corporation 系列 -  晶体管 - IGBT - 模块 系列 -  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 系列 -   零件状态 在售  Microsemi Corporation 零件状态 在售  晶体管 - IGBT - 模块 零件状态 在售  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 零件状态 在售   供应商器件封装 D3  Microsemi Corporation 供应商器件封装 D3  晶体管 - IGBT - 模块 供应商器件封装 D3  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 供应商器件封装 D3   输入 标准  Microsemi Corporation 输入 标准  晶体管 - IGBT - 模块 输入 标准  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 输入 标准   配置 半桥  Microsemi Corporation 配置 半桥  晶体管 - IGBT - 模块 配置 半桥  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 配置 半桥   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  Microsemi Corporation Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  晶体管 - IGBT - 模块 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V   Power - Max 2100W  Microsemi Corporation Power - Max 2100W  晶体管 - IGBT - 模块 Power - Max 2100W  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 Power - Max 2100W   电流 - 集电极截止（最大值） 750μA  Microsemi Corporation 电流 - 集电极截止（最大值） 750μA  晶体管 - IGBT - 模块 电流 - 集电极截止（最大值） 750μA  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 电流 - 集电极截止（最大值） 750μA   Current - Collector (Ic) (Max) 580A  Microsemi Corporation Current - Collector (Ic) (Max) 580A  晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector (Ic) (Max) 580A  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector (Ic) (Max) 580A   IGBT 类型 沟槽型场截止  Microsemi Corporation IGBT 类型 沟槽型场截止  晶体管 - IGBT - 模块 IGBT 类型 沟槽型场截止  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 IGBT 类型 沟槽型场截止   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.1V @ 15V，400A  Microsemi Corporation 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.1V @ 15V，400A  晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.1V @ 15V，400A  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.1V @ 15V，400A   NTC 热敏电阻 无  Microsemi Corporation NTC 热敏电阻 无  晶体管 - IGBT - 模块 NTC 热敏电阻 无  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 NTC 热敏电阻 无   不同?Vce 时的输入电容（Cies） 29nF @ 25V  Microsemi Corporation 不同?Vce 时的输入电容（Cies） 29nF @ 25V  晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vce 时的输入电容（Cies） 29nF @ 25V  Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vce 时的输入电容（Cies） 29nF @ 25V