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产品规格

封装/外壳	模块
制造商	Microsemi Corporation
安装类型	底座安装
工作温度	-
系列	-
包装	散装
零件状态	过期
供应商器件封装	模块
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	-
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	-
FET 类型	-
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	-
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	-
漏源电压（Vdss）	-
功率 - 最大值	-
关键词

产品资料

标准包装	7

封装/外壳 模块  Microsemi Corporation 封装/外壳 模块  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 模块  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 模块   制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 制造商 Microsemi Corporation  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Microsemi Corporation   安装类型 底座安装  Microsemi Corporation 安装类型 底座安装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 底座安装  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 底座安装   工作温度 -  Microsemi Corporation 工作温度 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -   系列 -  Microsemi Corporation 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -   包装 散装   Microsemi Corporation 包装 散装   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 散装   Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 散装    零件状态 过期  Microsemi Corporation 零件状态 过期  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 过期  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 过期   供应商器件封装 模块  Microsemi Corporation 供应商器件封装 模块  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 模块  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 模块   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Microsemi Corporation 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） -  Microsemi Corporation 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） -  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） -   FET 类型 -  Microsemi Corporation FET 类型 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 -  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 -   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） -  Microsemi Corporation 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） -  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） -   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -  Microsemi Corporation 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -   FET 功能 -  Microsemi Corporation FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 -  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -  Microsemi Corporation 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -   漏源电压（Vdss） -  Microsemi Corporation 漏源电压（Vdss） -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） -  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） -   功率 - 最大值 -  Microsemi Corporation 功率 - 最大值 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 -  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 -