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产品规格

封装/外壳	模块
制造商	Microsemi Corporation
安装类型	底座安装
工作温度	-40°C ~ 150°C（TJ）
系列	POWER MOS 7?
包装	散装
零件状态	在售
供应商器件封装	SP6-P
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	186nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	420 毫欧 @ 11A，10V
FET 类型	6 N-沟道（3 相桥）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	22A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	5200pF @ 25V
FET 功能	标准
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	5V @ 2.5mA
漏源电压（Vdss）	1000V（1kV）
功率 - 最大值	390W
关键词

产品资料

数据列表	APTM100TA35SC(T)PG
标准包装	1

封装/外壳 模块  Microsemi Corporation 封装/外壳 模块  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 模块  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 模块   制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 制造商 Microsemi Corporation  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Microsemi Corporation   安装类型 底座安装  Microsemi Corporation 安装类型 底座安装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 底座安装  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 底座安装   工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  Microsemi Corporation 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）   系列 POWER MOS 7?  Microsemi Corporation 系列 POWER MOS 7?  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 POWER MOS 7?  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 POWER MOS 7?   包装 散装   Microsemi Corporation 包装 散装   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 散装   Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 散装    零件状态 在售  Microsemi Corporation 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 SP6-P  Microsemi Corporation 供应商器件封装 SP6-P  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 SP6-P  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 SP6-P   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 186nC @ 10V  Microsemi Corporation 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 186nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 186nC @ 10V  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 186nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 420 毫欧 @ 11A，10V  Microsemi Corporation 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 420 毫欧 @ 11A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 420 毫欧 @ 11A，10V  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 420 毫欧 @ 11A，10V   FET 类型 6 N-沟道（3 相桥）  Microsemi Corporation FET 类型 6 N-沟道（3 相桥）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 6 N-沟道（3 相桥）  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 6 N-沟道（3 相桥）   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 22A  Microsemi Corporation 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 22A  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 22A  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 22A   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5200pF @ 25V  Microsemi Corporation 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5200pF @ 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5200pF @ 25V  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5200pF @ 25V   FET 功能 标准  Microsemi Corporation FET 功能 标准  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 2.5mA  Microsemi Corporation 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 2.5mA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 2.5mA  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 2.5mA   漏源电压（Vdss） 1000V（1kV）  Microsemi Corporation 漏源电压（Vdss） 1000V（1kV）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 1000V（1kV）  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 1000V（1kV）   功率 - 最大值 390W  Microsemi Corporation 功率 - 最大值 390W  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 390W  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 390W