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产品规格

封装/外壳	J3 模块
制造商	Microsemi Corporation
安装类型	底座安装
工作温度	-40°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	散装
零件状态	已不再提供
供应商器件封装	模块
技术	MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	2000nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	145 毫欧 @ 32.5A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
FET 类型	N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	65A（Tc）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	31600pF @ 25V
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 10mA
功率耗散（最大值）	1250W（Tc）
漏源电压（Vdss）	1000V
关键词

产品资料

标准包装	1

封装/外壳 J3 模块  Microsemi Corporation 封装/外壳 J3 模块  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 J3 模块  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 J3 模块   制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 制造商 Microsemi Corporation  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Microsemi Corporation   安装类型 底座安装  Microsemi Corporation 安装类型 底座安装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 底座安装  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 底座安装   工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  Microsemi Corporation 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Microsemi Corporation 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -   包装 散装   Microsemi Corporation 包装 散装   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 散装   Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 散装    零件状态  已不再提供  Microsemi Corporation 零件状态  已不再提供  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态  已不再提供  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态  已不再提供   供应商器件封装 模块  Microsemi Corporation 供应商器件封装 模块  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 模块  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 模块   技术 MOSFET（金属氧化物）  Microsemi Corporation 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±30V  Microsemi Corporation Vgs（最大值） ±30V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±30V  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±30V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2000nC @ 10V  Microsemi Corporation 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2000nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2000nC @ 10V  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2000nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 145 毫欧 @ 32.5A，10V  Microsemi Corporation 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 145 毫欧 @ 32.5A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 145 毫欧 @ 32.5A，10V  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 145 毫欧 @ 32.5A，10V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  Microsemi Corporation 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V   FET 类型 N 沟道  Microsemi Corporation FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 65A（Tc）  Microsemi Corporation 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 65A（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 65A（Tc）  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 65A（Tc）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 31600pF @ 25V  Microsemi Corporation 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 31600pF @ 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 31600pF @ 25V  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 31600pF @ 25V   FET 功能 -  Microsemi Corporation FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 10mA  Microsemi Corporation 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 10mA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 10mA  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 10mA   功率耗散（最大值） 1250W（Tc）  Microsemi Corporation 功率耗散（最大值） 1250W（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 1250W（Tc）  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 1250W（Tc）   漏源电压（Vdss） 1000V  Microsemi Corporation 漏源电压（Vdss） 1000V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 1000V  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 1000V