APTM100UM65DAG,Microsemi Corporation,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
>
APTM100UM65DAG
APTM100UM65DAG -
MOSFET N-CH 1000V 145A SP6
非库存货
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
制造商产品编号:
APTM100UM65DAG
仓库库存编号:
APTM100UM65DAG-ND
描述:
MOSFET N-CH 1000V 145A SP6
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
底座安装 N 沟道 1000V 145A(Tc) 3250W(Tc) SP6
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
APTM100UM65DAG产品属性
产品规格
封装/外壳
SP6
制造商
Microsemi Corporation
安装类型
底座安装
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
散装
零件状态
在售
供应商器件封装
SP6
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
1068nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
78 毫欧 @ 72.5A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
145A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
28500pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5V @ 20mA
功率耗散(最大值)
3250W(Tc)
漏源电压(Vdss)
1000V
关键词
产品资料
数据列表
APTM100UM65DAG
Power Products Catalog
标准包装
1
APTM100UM65DAG相关搜索
封装/外壳 SP6
Microsemi Corporation 封装/外壳 SP6
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 SP6
Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 SP6
制造商 Microsemi Corporation
Microsemi Corporation 制造商 Microsemi Corporation
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Microsemi Corporation
Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Microsemi Corporation
安装类型 底座安装
Microsemi Corporation 安装类型 底座安装
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 底座安装
Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 底座安装
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
Microsemi Corporation 工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
系列 -
Microsemi Corporation 系列 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -
Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -
包装 散装
Microsemi Corporation 包装 散装
晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 散装
Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 散装
零件状态 在售
Microsemi Corporation 零件状态 在售
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
供应商器件封装 SP6
Microsemi Corporation 供应商器件封装 SP6
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 SP6
Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 SP6
技术 MOSFET(金属氧化物)
Microsemi Corporation 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值) ±30V
Microsemi Corporation Vgs(最大值) ±30V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±30V
Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±30V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 1068nC @ 10V
Microsemi Corporation 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 1068nC @ 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 1068nC @ 10V
Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 1068nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 78 毫欧 @ 72.5A,10V
Microsemi Corporation 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 78 毫欧 @ 72.5A,10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 78 毫欧 @ 72.5A,10V
Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 78 毫欧 @ 72.5A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
Microsemi Corporation 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
FET 类型 N 沟道
Microsemi Corporation FET 类型 N 沟道
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 145A(Tc)
Microsemi Corporation 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 145A(Tc)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 145A(Tc)
Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 145A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 28500pF @ 25V
Microsemi Corporation 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 28500pF @ 25V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 28500pF @ 25V
Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 28500pF @ 25V
FET 功能 -
Microsemi Corporation FET 功能 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 20mA
Microsemi Corporation 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 20mA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 20mA
Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 20mA
功率耗散(最大值) 3250W(Tc)
Microsemi Corporation 功率耗散(最大值) 3250W(Tc)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 3250W(Tc)
Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 3250W(Tc)
漏源电压(Vdss) 1000V
Microsemi Corporation 漏源电压(Vdss) 1000V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 1000V
Microsemi Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 1000V
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号