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APTM10UM01FAG - 

MOSFET N-CH 100V 860A SP6

Microsemi Corporation APTM10UM01FAG
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
APTM10UM01FAG
仓库库存编号：
APTM10UM01FAG-ND
描述：
MOSFET N-CH 100V 860A SP6
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
底座安装 N 沟道 860A（Tc） 2500W（Tc） SP6
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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APTM10UM01FAG产品属性


产品规格
  封装/外壳  SP6  
  制造商  Microsemi Corporation  
  安装类型  底座安装  
  工作温度  -40°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  散装   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  SP6  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±30V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  2100nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  1.6 毫欧 @ 275A，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  860A（Tc）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  60000pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  4V @ 12mA  
  功率耗散（最大值）  2500W（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  100V  
关键词         

产品资料
数据列表 APTM10UM01FAG
Power Products Catalog
标准包装 1
其它名称 APTM10UM01FAGMI
APTM10UM01FAGMI-ND

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