APTM120H140FT1G,Microsemi Corporation,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
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APTM120H140FT1G - 

MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1

  • 非库存货
Microsemi Corporation APTM120H140FT1G
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
APTM120H140FT1G
仓库库存编号:
APTM120H140FT1G-ND
描述:
MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1200V (1.2kV) 8A 208W Chassis Mount SP1
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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APTM120H140FT1G产品属性


产品规格
  封装/外壳  SP1  
  制造商  Microsemi Corporation  
  安装类型  底座安装  
  工作温度  -40°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  散装   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  SP1  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  145nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  1.68 欧姆 @ 7A,10V  
  FET 类型  4 个 N 通道(H 桥)  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  8A  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  3812pF @ 25V  
  FET 功能  标准  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  5V @ 1mA  
  漏源电压(Vdss)  1200V(1.2kV)  
  功率 - 最大值  208W  
关键词         

产品资料
数据列表 APTM120H140FT1G
Power Products Catalog
标准包装 1

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