APTM120H29FG,Microsemi Corporation,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
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APTM120H29FG - 

MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6

Microsemi Corporation APTM120H29FG
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
APTM120H29FG
仓库库存编号：
APTM120H29FG-ND
描述：
MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1200V (1.2kV) 34A 780W Chassis Mount SP6
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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APTM120H29FG产品属性


产品规格
  封装/外壳  SP6  
  制造商  Microsemi Corporation  
  安装类型  底座安装  
  工作温度  -40°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  POWER MOS 7?  
  包装  散装   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  SP6  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  374nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  348 毫欧 @ 17A，10V  
  FET 类型  4 个 N 通道（H 桥）  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  34A  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  10300pF @ 25V  
  FET 功能  标准  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  5V @ 5mA  
  漏源电压（Vdss）  1200V（1.2kV）  
  功率 - 最大值  780W  
关键词         

产品资料
数据列表 APTM120H29FG
Power Products Catalog
标准包装 1
其它名称 APTM120H29FGMI
APTM120H29FGMI-ND

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