APTM50DSK10T3G,Microsemi Corporation,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
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APTM50DSK10T3G - 

MOSFET 2N-CH 500V 37A SP3

  • 非库存货
Microsemi Corporation APTM50DSK10T3G
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
APTM50DSK10T3G
仓库库存编号:
APTM50DSK10T3G-ND
描述:
MOSFET 2N-CH 500V 37A SP3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 500V 37A 312W Chassis Mount SP3
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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APTM50DSK10T3G产品属性


产品规格
  封装/外壳  SP3  
  制造商  Microsemi Corporation  
  安装类型  底座安装  
  工作温度  -40°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  散装   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  SP3  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  96nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  120 毫欧 @ 18.5A,10V  
  FET 类型  2 个 N 沟道(双)  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  37A  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  4367pF @ 25V  
  FET 功能  标准  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  5V @ 1mA  
  漏源电压(Vdss)  500V  
  功率 - 最大值  312W  
关键词         

产品资料
数据列表 APTM50DSK10T3G
Power Products Catalog
标准包装 1

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