APTMC120TAM33CTPAG,Microsemi Corporation,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
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APTMC120TAM33CTPAG - 

MOSFET 6N-CH 1200V 78A SP6-P

Microsemi Corporation APTMC120TAM33CTPAG
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
APTMC120TAM33CTPAG
仓库库存编号：
APTMC120TAM33CTPAG-ND
描述：
MOSFET 6N-CH 1200V 78A SP6-P
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 1200V (1.2kV) 78A 370W Chassis Mount SP6-P
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

APTMC120TAM33CTPAG产品属性


产品规格
  封装/外壳  SP6  
  制造商  Microsemi Corporation  
  安装类型  底座安装  
  工作温度  -40°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  散装   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  SP6-P  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  148nC @ 20V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  33 毫欧 @ 60A，20V  
  FET 类型  6 N-沟道（3 相桥）  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  78A  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  2850pF @ 1000V  
  FET 功能  标准  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  2.2V @ 3mA（标准）  
  漏源电压（Vdss）  1200V（1.2kV）  
  功率 - 最大值  370W  
关键词         

产品资料
数据列表 APTMC120TAM33CTPAG
标准包装 1
其它名称 APTMC120TAM33CTPACC6543

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