APTSM120AM55CT1AG,Microsemi Corporation,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
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APTSM120AM55CT1AG - 

POWER MODULE - SIC

  • 非库存货
Microsemi Corporation APTSM120AM55CT1AG
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
APTSM120AM55CT1AG
仓库库存编号：
APTSM120AM55CT1AG-ND
描述：
POWER MODULE - SIC
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual), Schottky 1200V (1.2kV) 74A (Tc) 470W Chassis Mount SP1
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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APTSM120AM55CT1AG产品属性


产品规格
  封装/外壳  SP1  
  制造商  Microsemi Corporation  
  安装类型  底座安装  
  工作温度  -40°C ~ 175°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  散装   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  SP1  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  272nC @ 20V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  50 毫欧 @ 40A，20V  
  FET 类型  2 个 N 通道（双），肖特基  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  74A（Tc）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  5120pF @ 1000V  
  FET 功能  碳化硅 （SiC）  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  3V @ 2mA  
  漏源电压（Vdss）  1200V（1.2kV）  
  功率 - 最大值  470W  
关键词         

产品资料
数据列表 APTSM120AM55CT1AG
标准包装 1

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