DME375A,Microsemi Corporation,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 射频
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

DME375A - 

TRANS RF BIPO 875W 30A 55AW1

  • 当零件存货耗尽后,该零件将成为非库存货;此时将采用最低订购量方法。 订购数量应为可供数量或者可供数量加上最低订购数量的倍数。
  • 非库存货
Microsemi Corporation DME375A
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
DME375A
仓库库存编号:
DME375A-ND
描述:
TRANS RF BIPO 875W 30A 55AW1
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
RF Transistor NPN 55V 30A 1.025GHz ~ 1.15GHz 875W Chassis Mount 55AW
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

DME375A产品属性


产品规格
  封装/外壳  55AW  
  制造商  Microsemi Corporation  
  安装类型  底座安装  
  工作温度  200°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  散装   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  55AW  
  晶体管类型  NPN  
  不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)  10 @ 300mA,5V  
  频率 - 跃迁  1.025GHz ~ 1.15GHz  
  功率 - 最大值  875W  
  电流 - 集电极(Ic)(最大值)  30A  
  电压 - 集射极击穿(最大值)  55V  
  增益  6.5dB  
  噪声系数(dB,不同 f 时的典型值)  -  
关键词         

产品资料
数据列表 DME375A
标准包装 1

DME375A相关搜索

封装/外壳 55AW  Microsemi Corporation 封装/外壳 55AW  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 55AW  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 55AW   制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 制造商 Microsemi Corporation  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 Microsemi Corporation   安装类型 底座安装  Microsemi Corporation 安装类型 底座安装  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 底座安装  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 底座安装   工作温度 200°C(TJ)  Microsemi Corporation 工作温度 200°C(TJ)  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 200°C(TJ)  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 200°C(TJ)   系列 -  Microsemi Corporation 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -   包装 散装   Microsemi Corporation 包装 散装   晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 散装   Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 散装    零件状态 在售  Microsemi Corporation 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 在售  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 在售   供应商器件封装 55AW  Microsemi Corporation 供应商器件封装 55AW  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 55AW  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 55AW   晶体管类型 NPN  Microsemi Corporation 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN   不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 10 @ 300mA,5V  Microsemi Corporation 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 10 @ 300mA,5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 10 @ 300mA,5V  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 10 @ 300mA,5V   频率 - 跃迁 1.025GHz ~ 1.15GHz  Microsemi Corporation 频率 - 跃迁 1.025GHz ~ 1.15GHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 1.025GHz ~ 1.15GHz  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 1.025GHz ~ 1.15GHz   功率 - 最大值 875W  Microsemi Corporation 功率 - 最大值 875W  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 875W  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 875W   电流 - 集电极(Ic)(最大值) 30A  Microsemi Corporation 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 30A  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 30A  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 30A   电压 - 集射极击穿(最大值) 55V  Microsemi Corporation 电压 - 集射极击穿(最大值) 55V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿(最大值) 55V  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿(最大值) 55V   增益 6.5dB  Microsemi Corporation 增益 6.5dB  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 6.5dB  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 6.5dB   噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) -  Microsemi Corporation 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) -  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) -  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号