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TRANS NPN 80V 1A TO39

  • QPL 或军用规范仅供参考。非军用零件。未提供符合性证书。参见条款和条件。
Microsemi Corporation JAN2N3019
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
JAN2N3019
仓库库存编号：
1086-2340-ND
描述：
TRANS NPN 80V 1A TO39
ROHS：
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 1A 800mW Through Hole TO-39
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JAN2N3019产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-205AD，TO-39-3 金属罐  
  制造商  Microsemi Corporation  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -65°C ~ 200°C（TJ）  
  系列  军用，MIL-PRF-19500/391  
  包装  散装   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  TO-39  
  晶体管类型  NPN  
  不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）  50 @ 500mA，10V  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  80V  
  Power - Max  800mW  
  电流 - 集电极截止（最大值）  10μA（ICBO）  
  Current - Collector (Ic) (Max)  1A  
  不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）  500mV @ 50mA，500mA  
  频率 - 跃迁  -  
关键词         

产品资料
数据列表 2N3019
标准包装 1
其它名称 1086-2340
1086-2340-MIL

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Microsemi Corporation - JAN2N3019 - TRANS NPN 80V 1A TO39		Microsemi Corporation
TRANS NPN 80V 1A TO39
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 1A 800mW Through Hole TO-39

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Microsemi Corporation - JAN2N3019S - TRANS NPN 80V 1A		Microsemi Corporation
TRANS NPN 80V 1A
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